什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计.docx

行业-电子政务-改良带宽与静电放电免疫能力的T线圈网络设计.zip

完整英文电子版 AEC-Q100-011D：2019 Charged Device Model (CDM) Electrostatic Discharge Test （带电设备模型（CDM） 静电放电测试 ）。本规范的目的是建立一个可靠且可重复的程序，以确定集成电路器件的 CDM ESD 灵敏度。

完整英文电子版 AEC-Q101-001A：2005 Human Body Model (HBM) Electrostatic Discharge（ESD) Test （人体模型（HBM） 静电放电（ESD）测试 ）。本规范的目的是建立一个可靠和可重复的程序，用于确定分立元件的HBM ESD敏感度。

完整英文电子版 AEC-Q101-002A：1996 Machine Model (MM) Electrostatic Discharge Test（机器型号（MM） 静电放电测试）。本规范的目的是建立一个可靠和可重复的程序，用于确定分立元件的MM ESD灵敏度。

完整英文版 ANSI/ESD STM 5.5.1：2016 For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Transmission Line Pulse (TLP) - Device Level (用于静电放电敏感度测试--传输线脉冲（TLP）--器件级)。本文件的目的是为测试和报告与传输线脉冲（TLP）有关的信息建立一种方法。本文件的目的是为测试和报告与传输线脉冲（TLP）测试有关的信息建立一套方法。本文件包括应用准矩形脉冲的TLP系统，其脉冲宽度和上升时间范围很广。所有这些系统都被称为TLP系统。

完整英文版 IEC 60749-28：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28：Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level （半导体器件-机械和气候测试方法：静电放电（ESD）敏感性测试-带电设备模型（CDM）-设备级 ）。IEC 60749-28:2017(E)规定了根据器件和微电路暴露于定义的场致带电设备模型(CDM)静电放电(ESD)时对其损害或退化的易感性(敏感性)进行测试、评估和分类的程序。所有封装的半导体器件、薄膜电路、表面声波（SAW）器件、光电子器件、混合集成电路（HIC）以及包含任何这些器件的多芯片模块（MCM）都将根据本文件进行评估。为了进行测试，这些器件被组装成与最终应用中预期的类似的封装。本CDM文件不适用于插座式放电模型测试器。

完整英文版 IEC 61000-4-2：2008 Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-2：Testing and measurement techniques - Electrostatic discharge immunity test（ 电磁兼容性（EMC）--第4-2部分：测试和测量技术--静电放电抗扰度测试 ）。 IEC 61000-4-2:2008涉及到电气和电子设备的抗扰度要求和测试方法，这些设备会受到来自操作人员直接的静电放电，以及来自人员对邻近物体的静电放电。它还定义了与不同环境和安装条件有关的测试水平范围，并制定了测试程序。IEC 61000-4-2:2008的目的是建立一个通用的和可重复的基础来评估电气和电子设备在受到静电放电时的性能。此外，它还包括从人员到重要设备附近物体可能发生的静电放电。IEC 61000-4-2:2008定义了放电电流的典型波形、测试水平范围、测试设备、测试设置、测试程序、校准程序和测量不确定性。IEC 61000-4-2:2008给出了在 "实验室 "进行的测试和在最终安装的设备上进行的 "安装后测试 "的规范。

完整英文版 IEC 62615：2010 Electrostatic discharge sensitivity testing - Transmission line pulse {TLP) - Component level（静电放电灵敏度测试 - 传输线脉冲 (TLP) - 组件级别）。IEC 62615:2010 定义了一种脉冲测试方法，用于评估被测组件的电压电流响应并考虑静电放电 (ESD) 人体模型 (HBM) 的保护设计参数。 这种技术称为传输线脉冲 (TLP) 测试。 本文档建立了一种用于测试和报告与传输线脉冲 (TLP) 测试相关的信息的方法。 本文档的范围和重点与半导体组件的 TLP 测试技术有关。 本文件不应成为 IEC 60749-26 等 HBM 测试标准的替代方法。 该文件的目的是建立 TLP 方法的指南，允许提取半导体器件上的 HBM ESD 参数。 本文档提供了使用 TLP 正确提取 HBM ESD 参数的标准测量和程序。

完整英文版 MIL-HDBK-263B：1994 Electrostatic Discharge Control Handbook For Protection Of Electrical And Electronic Parts, Assemblies And Equipment(静电放电控制手册，用于保护电气和电子部件、组件和设备)。本手册为根据 MIL STD-1686 的要求开发、实施和监控 ESD 控制程序提供指导。 6.1 中提供的信息将 MIL-HDBK-263 的各种修订版与 MIL-STD-1686 的相应修订版交叉引用。 本手册不适用于电引爆装置。 附录中包含的技术数据对所提供的具体指导进行了补充。 表 I 提供了 MIL-STD-1686 要求、MIL-HDBK-263 指南和 MIL-HDBK-263 补充技术数据的交叉引用列表。