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在QCD耦合的领先顺序的实时晶格模拟框架内，研究了重离子碰撞早期的轴向电荷产生。 从彩色玻璃冷凝物的初始条件开始，在纵向扩展几何结构的晶格上计算经典色规场下量子夸克场的时间演化。 我们考虑了洛伦兹收缩核中的简单色电荷分布，这些色电荷分布实现了类似于光通量管的色场配置，在碰撞后携带非零拓扑电荷。 通过使用扩展到纵向扩展几何的Wilson费米子，我们演示了实时网格上轴向异常的实现。

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在51单片机课堂上，单只数码管循环显示0-9是一个常见的练习项目。这个练习可以帮助我们掌握单片机的引脚控制和数码管显示等基本知识。以下是一个简单的示例程序，演示如何使用51单片机控制单只数码管循环显示0-9。 硬件连接 首先，我们需要了解数码管的显示原理和引脚控制方式。在这个示例中，我们假设使用共阳极数码管，并且只使用一个位选引脚（例如P2.0），其他数码管引脚（例如a-g和dp）连接到相应的单片机引脚上。 接下来，我们需要编写一个程序来控制数码管循环显示0-9。在51单片机上，可以使用C语言或汇编语言编写程序。以下是使用C语言编写的示例程序： c #include // 包含51单片机的头文件 #define LED P2_0 // 位选引脚连接到P2.0口 #define A P1_0 // a引脚连接到P1.0口 #define B P1_1 // b引脚连接到P1.1口 #define C P1_2 // c引脚连接到P1.2口 #define D P1_3

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mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点，此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分，RDS（ON）为负温度系数；而在VGS