电压基准在模拟电路中提供一个受电源或温度等影响较小的参考电压，以保证整个电路正常工作。设计了一种低温漂低功耗带隙基准电压源，采用不受电源影响的串联电流镜做偏置，利用PTAT电压的正向温度系数和基极发射极电压的负向温度系数特性，以适当的系数加权构造零温度系数的电压量。该设计避开了运放的应用，结构简易，原理清晰，便于入门级的同学在短时间内学习掌握。0～70 ℃范围内，温漂系数为16.4 ppm/℃。供电电压在5～6 V范围内变化时，电源抑制比达57.7 dB。总输出噪声为140.3 μV，功耗为300.6 μW。

‡ 改进的电流源 与电源无关的偏置 ‡ 带隙基准 „ 正温度系数 „ 负温度系数 ‡ PTAT电流源的产生

电磁带隙和人工磁导体及其在贴片天线中的应用

近年来，有两种人工材料，即光子晶体和左手材料在电磁波传输方面发挥着重要作用。光子晶体是周期性结构排列的介电结构，存在波的能带结构，在光学器件方面有着许多重要的应用。新型人工左手材料同时呈现负介电常数和负磁导率，有着许多与传统介质不同的反常电磁波特性，具有广泛的应用前景。采用传递矩阵的方法研究了由正折射率材料和负折射率材料交替排列组成的一维光子晶体结构的透射谱，并对其能带结构和色散关系进行分析。这种正负折射率光子晶体不仅存在一般的布拉格禁带，还存在低频共振禁带。在这种系统中存在非局域化态，同时由于低频禁带的存在，使得这种结构有更小的局域化长度，更适合观察局域化现象。

用平面波展开法研究方形钨柱在环氧树脂基体中呈正方形排列和三角形排列时的带隙以及方柱转动对带隙结构的影响。研究结果表明：在相同的填充率下，钨柱按三角形排列比按正方形排列更容易具有较宽的完全带隙；在任意的填充率下，当钨柱按正方形排列时，系统的最低完全带隙相对宽度随着转动角度的增加而变窄；当按三角形排列时，系统的最低完全带隙相对宽度随着转动角度的增加先变宽，后变窄；插入体的填充率越高，方柱转动对系统带隙的影响越大。

一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够提供系统要求的基准电压或电流，而且具有功耗很小、高集成度和设计简便等优点，广泛应用于模拟集成电路和混

cadence virtuoso教程，以无运放的的Bandgap为例，介绍工艺角仿真

模拟集成电路设计 带隙基准.ppt

设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。