零电流开关（ZCS）技术可以显著地降低开关由导通转向关断时的功率损耗。然而，大多数文章中论述到的零电流开关变换器仅是单象限运行。本文介绍的四象限DC/DC零电流开关准谐振罗氏变换器是一种新型的可以在四个象限内运行、运用软开关技术的零电流开关变换器，能够有效地降低功率损耗，从而极大地提高功率传输效率。实验测试结果验证了文中的分析和计算。

首先阐述了三电平DC/DC变换器拓扑的推导过程，给出了6种非隔离三电平DC/DC变换器和5种隔离三电平DC/DC变换器拓扑结构；分析了三电平DC/DC变换器中，如何设计滤波电路的参数以提高其动态品质；最后以Buck三电平变换器和BuckBoost三电平变换器为例，分析了滑模控制在三电平DC/DC变换器中的应用前景。

DC/DC开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。 图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器，如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下：1) 占空比 (高侧FET,上管) = Vout/(Vin*效率)2) 占空比 (低侧FET，下管) = 1 – DC (高侧FET)FET 可能会集成到与控制器一样的同一块芯片中，从而实现一种最为简单的解决方案。但是，为了提供高电流能力及（或）达到更高效率，FET 需要始终为控制器的外部元件。这样便可以实现最大散热能力，因为它让FET物理隔离于控制器，并且拥有最大的 FET 选择灵活性。它的缺点是 FET 选择过程更加复杂，原因是要考虑

基于STM32单片机设计的数控电源，可实现输出电压0.1v的步进调节

介绍DC-DC升压原理，以及占空比的计算，电感，电容的取值分析等

该模型演示了 DC-AC 转换器。 3 脚 Mosfet 操作的逆变器被构建。 可用于演示输入直流、输出电压、调制指数、滤波器选择和开关频率的关系。 三次谐波注入特性

此文件后跟一个youtube视频： NakiGÜLER在Simulink中进行电池控制器设计 启用电池充电和放电的开关。 电池的读数可以显示在示波器中。 请按照提及的youtube视频进行分步说明。

如出版物所述： “用于改进 Matlab/Simulink 仿真的经验电解槽模型的电气实现” https://www.ijrer.org/ijrer/index.php/ijrer/article/view/9368

开关电源是一种效率很高的电源变换电路,通过对Boost型开关电源作详细的数学推导后得到准确数据。该系统包括整流滤波模块、DC-DC变换模块、过流保护及人机接口模块,以DC-DC变换器作系统的核心。采用UC3842作开关电源控制芯片,开关管采用耐高压,导通电阻很小的MOSFET管IRF640。输出滤波电路中用LC构成的型网络,同时输出采用单片机采样系统,可显示当前的电流和电压,且通过采样电流实现过流保护功能。

Matlab2018a 【Matlab综合设计】开环Buck-Boost升压-降压式变换器Simulink仿真 https://blog.csdn.net/weixin_43470383/article/details/121218391