为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于Monee Carlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。
2022-08-31 16:07:02
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人工智人-家居设计-基于MAX1457的硅压阻式传感器智能补偿与标定系统的应用研究.pdf
2022-07-13 21:03:13
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光电检测技术与光纤基础课件：硅光电三极管（集电结反偏，发射结正偏）.pptx
2022-06-30 18:07:25
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研究了垂直向列型彩色滤光膜硅覆液晶(VA CF-LCoS) 微显示器件,并利用其三维光学模型,改变液晶器件的预倾角、像素尺寸等参数,优化了微小像素中的边缘电场效应。为进一步优化器件的性能,建立了以圆偏振光作为入射光源的微显示器件的三维光学模型。研究结果表明:当以圆偏振光作为照明光源时,VA CF-LCoS微显示器件的光学反射效率可得到大幅提升。由于采用了三维光学模型的分析方法,得到了与利用二维光学模型进行分析时完全不同的结论:优化只能使得边缘场效应导致的亮态子像素内部黑线减小,而不能彻底消除它。
2022-05-24 10:29:55
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