光电检测技术与光纤基础课件：硅光电三极管（集电结反偏，发射结正偏）.pptx

研究了垂直向列型彩色滤光膜硅覆液晶(VA CF-LCoS) 微显示器件,并利用其三维光学模型,改变液晶器件的预倾角、像素尺寸等参数,优化了微小像素中的边缘电场效应。为进一步优化器件的性能,建立了以圆偏振光作为入射光源的微显示器件的三维光学模型。研究结果表明:当以圆偏振光作为照明光源时,VA CF-LCoS微显示器件的光学反射效率可得到大幅提升。由于采用了三维光学模型的分析方法,得到了与利用二维光学模型进行分析时完全不同的结论:优化只能使得边缘场效应导致的亮态子像素内部黑线减小,而不能彻底消除它。

过零点触发双硅输出光耦MOC3061经典应用

高密度聚乙烯硅芯塑料管产品质量监督抽查实施规范.doc

本文介绍了常规的硅/玻璃阳极键合等离子体的研究按顺序增强化学气相沉积碳化硅（PE-SiC）作为中间层评估在应用PE-SiC作为器件钝化层之前的可行性基于粘合转移技术的包装粘合和构造层。 找到了这种键合的机理与传统的阳极键合相似。 作为PE-SiC 增稠，粘结强度下降； 同时，泄漏率保持在同一水平与硅/玻璃结合。 进一步的实验表明，键合增加了中间层的拉伸应力为70.7 MPa，应力梯度减小了24.6 MPaμm^ -1。

固有频率对硅加速度计的性能影响很大。针对目前硅加速度计的固有频率计算公式误差大的缺点,利用力学原理推导了悬臂梁式和双端梁式硅加速度计固有频率的计算公式。计算结果与有限元软件仿真分析的结果相符。推导的公式能快速准确地计算压阻式硅加速度计的固有频率,并可直接用来编程,避兔了有限元仿真分析需要反复建摸的复杂过程,简化了优化设计的过程。

称为硅的本地氧化（LOCOS）的技术能实现厚氧化层选择性生长。（8 “LOCUS: A New I.C. Technology,” Microelectronics and Reliability, Vol. 10,1971, pp.471-472）这个工艺开始于薄pad oxide的生长，它能保护硅表面不受接下来的机械压力影响。（图2.14）。化学气相沉积在pad oxide的顶部产生一层氮化膜。这个氮化物被蚀刻后使该区域选择性的氧化。氮化物阻碍了氧和水分子的扩散，所以只在氮化物开口处有氧化。有些氧化剂能扩散到氮化物边缘下的一小段距离，产生了一个弯曲的过渡区域，叫做bird’s beak。（

软件介绍: 看软件说明，貌似仅支持UD6816、UD6808、T20芯片，其他主控不知道能不能用。设定密码默认为空。扫描设置：高级扫描/低级扫描U盘设置：普通盘、加密盘、Autorun盘(即U盘启动盘)分区类型设置：可移动盘、写保护、拷贝文件。可自定义设置固定容量。其他设置：厂商设定/LED状态设定。注意事项 ：如果U盘本身是启动盘、加密盘、AUTORUN盘时，如重新烧录成其他功能盘，需要将U盘格成普通盘后，再量产成其他功能盘。T18/UD6810/UD6809/T19使用1.5.x.x系列版本，不能使用1.6.x.x版本进行量产。

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