采用电工技术与电子技术相结合的方法,设计制作了一台10/700微秒浪涌电压发生器。设计中未采用通过改变球隙间距调整放电电压峰值的常规方法,而是利用采样、控制和电子点火方法,诱使放电间隙按照预先设定的峰值电压放电导通,解决了较低电压等级下放,电间隙不易精确调整的技术难题。10/700微秒浪涌电压发生器专门用于通信设备及线路的浪涌抗冲击试验。
2024-06-10 20:33:04 714KB 电源电路
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堆高机,高尔夫球车和电动工具的电动牵引部分是需要低电压,高电流的STEVAL-CTM009V1套件方案是展示基于STripFET:trade_mark:F7技术的ST功率MOSFET的功能, 搭配L6491高电流能力栅极驱动器是这应用的理想选择。 STEVAL-CTM009V1套件由STEVAL-CTM004V1,STEVAL-CTM005V1,STEVAL-CTM006V1,STEVAL-CTM008V1板组成,这些板组装在一起,为三相电机构建逆变器功率级。STEVAL-CTM004V1电源板具有绝缘金属基板(IMS),用于热保护的NTC和用于每个功率MOSFET的去耦栅电阻。该板将ST器件安装在H²PAK-6封装中。驱动级是STEVAL-CTM006V1电路板,带有L6491高电流能力栅极驱动器,用于驱动功率MOSFET和用于保护的集成比较器。驱动板包括ST电机控制连接器,因此您可以将STEVAL-CTM009V1与适用于电机控制的任何ST MCU控制板连接。该系统还有一个STEVAL-CTM005V1总线连接电容板,用于连接48 VDC电源(例如电池)以管理纹波电流,STEVAL-CTM008V1电流感应板用于读取三相电流和直流母线电流。 STEVAL-CTM009V1套件旨在让您评估STH31 * N10F7功率MOSFET,其中由高端和低端L6491高电流能力栅极驱动器驱动。 该系统包括大容量电容器电路板和电流感应板。STEVAL-CTM009V1可与任何带有嵌入式ST电机控制的ST MCU评估板连接 和ST FOC固件库支持。该套件已使用STEVALHKI001V1的STEVAL-CTM001V1C控制板进行测试,具有STM32F303RB 32位微控制器。 STEVAL-HKI001V1是一款工业驱动评估系统,旨在展示用于电机控制应用的A2C35S12M3-F IGBT功率模块的功能。它为单相或三相主输入提供解决方案,采用转换器逆变器制动(CIB)拓扑结构,能够处理高达35 A的电机电流(功率模块最大额定电流)。硬件平台是一个可堆叠的解决方案,包括功率级(STEVALCTM002V1),其中包含电源模块和电流感应电路,以及通过外部连接器连接的驱动套件(STEVAL-CTM001V1)。 STEVAL-CTM001V1驱动套件包括一个基于STM32F303RBT7微控制器的STEVAL-CTM001V1C控制板,能够执行磁场定向控制(FOC)算法,以在所有电机控制应用中获得最佳性能,以及STEVAL-CTM001V1D驱动板基于新型电隔离STGAP1AS gapDRIVE:trade_mark:,具有合适的电路,可驱动电源模块中的嵌入式IGBT。控制板具有RS232和CAN外部接口,可让您通过PC在评估系统上监控和控制应用程序。 STEVAL-CTM004V1电源板具有36个STH31 * N10F7 N沟道功率MOSFET H²PAK-6封装。在每个功率MOSFET附近放置一个栅极电阻,以消除寄生振荡。一个每个晶体管的栅极和源极之间的下拉电阻有助于避免电容耦合驱动栅极浮动时晶体管和不需要的导通。每个开关上的缓冲RC电路限制了速率开关转换期间的电压变化,以减少电磁干扰(EMI)和损耗。靠近开关功率MOSFET的两个去耦电容可减少VDS上的振铃和电压应力在设备上。电容器减少寄生电流突然电流变化引起的电压过冲电路中的电感器。为了监控电源板的温度并提供过温保护,放置了三个NTC在每个逆变器支路的一个功率MOSFET的漏极附近的电源板上。电源部分还有驱动板连接器,带CON5(phase_U),CON6(phase_V)和CON7(phase_W)用于栅极驱动和NTC传感,J3用于总线电压。 N沟道功率MOSFET采用STripFET:trade_mark:F7技术,具有增强型沟槽栅极结构低导通电阻,降低内部电容和栅极电荷,实现更快,更高效的开关。STH315N10F7 N沟道功率MOSFET具有以下特性: •专为汽车应用而设计,符合AEC-Q101标准 •市场上最低的RDS(on) •出色的品质因数(FoM) •低Crss / Ciss比率,用于EMI抗扰度 •高雪崩坚固性 在EV逆变器系统中,总线连接电容器可降低纹波电流并抑制由泄漏引起的电压尖峰电感和开关操作。 这些电容为纹波电流提供低阻抗路径由输出电感负载,总线电压和PWM频率引起。STEVAL-CTM008V1电流检测板是一种通用电路控制板,可以读取如果四个ICS在板上,则三相电机电流和直流母线电流。 套件中包含的主板有两个ICS读取两相电流。该传感功能可根据FOC算法确定用于数字控制的电机电流。 传感器提供高精度,在-40°C至+ 105°C的温度范围内具有4 m
2024-06-04 10:28:26 7.8MB 电机控制 电路方案
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STM32单片机读写 24bit_ADC_AD7190两路差分电压采集(串口打印)DEMO例程源码,仅供学习设计参考。
2024-05-27 21:23:21 6.97MB AD7190 STM32单片机读写
ME7660是一DC/DC电荷泵电压反转器专用集成电路
2024-05-27 13:14:18 90KB 电压反转
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单片机proteus仿真实例,包含很多实例,内有DSN文件和keil程序,可直接使用。 单片机Proteus仿真实例是学习单片机设计的一种非常有效的方法。通过Proteus仿真软件,我们可以模拟单片机的运行情况,验证硬件电路的功能和程序的正确性。 以下是一个简单的单片机Proteus仿真实例,以51单片机为例: 打开Proteus软件,创建一个新的电路图。 在电路图中添加51单片机,并添加适当的电源和接地线。 添加一个按键和LED灯,分别连接到单片机的GPIO引脚上。 编写一个简单的程序,用于检测按键的状态,并控制LED灯的亮灭。 将程序编译成可执行文件,并在Proteus中加载。 运行电路图,观察仿真结果是否符合预期。 在仿真的过程中,我们可以实时观察单片机的运行状态,查看各个引脚的电平变化,以及输入和输出设备的状态。通过这个过程,我们可以更好地理解单片机的运行机制和硬件电路的设计原理。
2024-05-25 10:41:55 80KB proteus proteus仿真
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高渗透率光伏电站并网会导致配电系统潮流逆向和节点电压越限。因此,为保证电网的安全稳定运行,必须对光伏电站接入点的越限电压进行调整。根据光伏逆变器的容量特性和技术规范,以调整逆变器有功/无功功率为手段,提出了光伏电站逆变器电压控制策略和逆变器有功/无功功率调整的计算方法。所提电压控制策略充分利用了逆变器容量进行电压调整,具有良好的控制效果和经济性,计算简便且无需获取馈线负荷水平和分布情况。仿真分析表明,所提逆变器电压控制策略能够较好地解决光伏电站接入点的电压越限问题。
2024-05-24 17:48:13 1.44MB
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XC6419系列是实现了高精度, 低噪声, 高纹波抑制, 低压差CMOS工艺的双路LDO电压调整器芯片。   内部由基准电压源, 误差放大器, 驱动用晶体管, 控制电流电路, 相位补偿电路等构成。   各个电压调整器的输出电压可由激光微调技术在内部0.8~5.0V的范围内,间隔0.05V进行调整。   可由EN端子停止各个电压调整器的输出状态,使其成待机状态。   此外,XC6419系列在带机状态时,VOUT端子和VSS端子之间的内部开关可把用于稳定输出的电容(CL)中储存的电荷放电。   这个放电功能可使VOUT端子高速地返回VSS电平。   用于稳定输出的电容(CL)也能与陶瓷
2024-05-23 15:17:52 161KB 电源技术
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本文中针对反激开关管的Vds电压尖峰问题进行定性分析,从而为降低此尖峰提供指导方向,供读者参考学习。
2024-05-23 08:49:30 104KB 开关管Vds 电压尖峰波形 技术应用
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参考文献: [1] Chai Y , Guo L , Wang C ,et al.Network Partition and Voltage Coordination Control for Distribution Networks With High Penetration of Distributed PV Units[J].IEEE Transactions on Power Systems, 2018:3396-3407.DOI:10.1109/TPWRS.2018.2813400. 本文以全局电压的低成本快速控制为目标,提出基于电气距离和区域电压调节能力的集群综合性能指标和网络划分方法,并在集群划分基础上,提出结合集群自治优化控制与群间分布式协调控制的双层电压控制策略,通过优化光伏变流器的有功和无功输出功率最小化光伏发电损失和配电线路有功损耗。
2024-05-22 16:08:35 4.42MB 分布式优化 电压控制
DSP28335,三相逆变电路电压闭环程序,三相逆变数字电源程序。 包括源代码文件和PDF说明文件。 详细说明了代码含义,三相逆变电路电路电压闭环分析,电路设计步骤,软件设计流程,软件调试步骤等。
2024-05-21 17:45:20 1.02MB
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