文章首先分析了开关电源电磁干扰问题产生的原因及种类,然后深入分析了EMI滤波器的设计原理,最后用实例验证了理论的正确性。

开关电源小型化设计中，提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升，电路电磁干扰（EMI）问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例，从设计角度，讨论如何降低电路EMI。为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率等级。但是随着开关频率的提高，会带来EMI特性的恶化，必须采取有效的措施改善电路的EMI特性开关电源的功率MOSFET安装在印制电路板上，由于印制电路板上MOSFET走线和环路存在杂散电容和寄生电感，开关频率越高，这些杂散电容和寄生电感更加不能够忽略。由于MOSFET上的电压和电流在开关时会快速变化，快速变化的电压和电流与这些杂散电容和寄生电感相互作用，会导致电压和电流出现尖峰，使输出噪声明显增加，影响系统EMI特性。 由1-1和1-2式可知，寄生电感和di/dt形成电压尖峰，寄生电容和dv/dt形成电流尖峰。这些快速变化的电流和关联的谐波在其他地方产生耦合的噪声电压，因此影响到开关电源EMI特性。下面以反激式开关拓扑为例，对

开关电源具有效率高、重量轻、体积小，稳压范围宽等突出优点，从20世纪中期问世以来，发展极其迅猛，在计算机、通信、航天、办公和家用电器等方面得到了广泛的应用，大有取代线性稳压电源之势。提高电路的集成化是开关电源的追求之一，对中小功率开关电源来说是实现单片集成化。开关集成稳压器是指将控制电路、功率开关管和保护电路等集成在一个芯片内，而由开关集成稳压器构成的开关电源就称之为单片开关电源。

本书是一本介绍开关电源理论与工程设计相结合的工具书，介绍了电源在系统中的作用、电源设计流程、开关电源设计、开关电源与新型电源的比较、改善开关电源效率的整形技术。重点介绍了开关电源电路拓扑的选取、变压器和电感设计、功率驱动电路、反馈补偿参数的设计、保护电路。对减少开关电源损耗的先进技术，如同步整流技术、无损吸收电路、波形整形技术，也作了深入的介绍。另外，通过大量实例，介绍了开关电源的设计方法，还介绍了，功率因数校正、印制电路设计、热设计、噪声控制和电磁干扰抑制等内容。

电源EMI 滤波器是一种抑制传导发射和辐射发射非常有效的方法。分析了电源线上的干扰类型， 开关电源产生EMI 的原理及其拓扑结构。讨论了电源EMI 滤波器的设计和器件选取原则， 并提出有关安装电源EMI 滤波器时应注意的几个问题。

非隔离型开关电源一般有三种基本工作方式，降压型、升压型、极性反转型三种，而其他的都是这三种形式转换而来，例如反激式、正激式、推挽式、半桥式、全桥式。1、降压型电路如下图为降压型电路。在此电路中，脉宽调制（pwm）电路的输出加到晶体管开关Q1的基极，以控制其导通和截止。工作过程：①当开关导通时，输人量可以传递到输出端；②开关截止时，则被隔断。这种脉冲状的能量传递经变换和滤波形成平滑的电压输出。pwm电路将它的变化转变成能控制开关导通和截止时间之比的pwm信号，达到稳定的目的。 2、升压型电路如图是升压型电路。工作过程：①开关管Q1导通时，扼流圈L1储能。这时il＝uin/lt（t为扼流圈导通时间）。设导通结束时的电流为il，因此，储能为e＝0.5i2l。Q1截止后，il将从il开始减少，在L上感应出左低右高的自感电动势。这个电动势叠加在uin上，二者一起通过vd给电容器c充电并向负载供电，得到比输人电压高的输出电压。②Q1导通期间，电容器MC1单独向负载供电，这时，D1阳极电位低于阴极而处于截止状态，防止了电容反向放电。 3、极性反转型电路如下图为极性反转型电路，也叫倒置型电

开关电源的输入电路大都采用整流加电容滤波电路。

本文给大家分享了一个开关电源交流输入及整流滤波基本电路图。

开关电源输入电路包括交流抗干扰电路、整流电路、滤波电路三个基本单元电路，下面一起来看看

电磁干扰对开关电源的效率和安全性影响成为人们关注的热点。文中分析了开关电源中电磁干扰产生的原因, 提出了抑制干扰的有效措施。