DDR技术和HSTL电平标准是近年来出现的高速数据传输技术，结合实际课题探讨应用了这两种技术的DDR SRAM器件的具体使用。

利用DSP产生SVPWM波，功能函数模块，可以配合自己的主函数使用

一个自己实验时用的基于28335的三电平SVPWM程序模块

可以实现DSP对EPROM的读操作和写操作

张掌柜讲F28335DSP系列之 把DSP程序从烧到RAM变成烧到FLASH中的方法

TL6678F-EasyEVM是广州创龙基于SOM-TL6678F核心板而研发的一款多核高性能DSP+FPGA开发板。开发板采用核心板+底板方式，底板采用沉金无铅工艺的8层板设计，尺寸为247.33mm*139.8mm，它为用户提供了SOM-TL6678F核心板的测试平台。为了方便用户开发和参考使用，上面引出了各种常见的接口，可以帮助用户快速评估SOM-TL6678F核心板的整体性能。

先设计FIR滤波器，用4bit量化，用8bit量化。设计IIR滤波器，对滤波器系数按4bit量化，对滤波器系数按5bit量化，重复上述过程

摘要：AM30LV0064D是AMD公司生产的一种新型超与非（U1traNAND）结构的闪速存储器（FLASH）。本文介绍它的工作原理，以及它与at89ls8252单片机的硬件接口电路和PLD内部逻辑控制设计的代码，并对编程操作的软件流程进行了描述。 　　关键词：AM30LV0064D U1traNAND 闪速存储器 　　1 概述 　　AM30LV0064D是AMD公司生产的一种新型非易失性闪速存储器。或非（NOR）结构的FLASH具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的FLASH相对于NOR结构的FLASH，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存

基于DSP的系统设计中，由于部分DSP内部无非易失性存储器，为了保证该系统设计掉电时程序不丢失，因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据。以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存储器为例，阐述了上电自举的硬件设计，JTAG程序加载，上电自举过程，Flash的擦除及烧写，链接命令文件和编写，并详细说明各部分相互联系及作用。

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