基于石墨烯-硅异质结的高性能位置感应探测器

基于光源偏振补偿硅基液晶(LCOS)光学引擎的激光三维(3D)显示系统对传统的LCOS光学引擎引起的偏振光损失进行了补偿，使经由照明系统进入光学引擎的不同偏振方向的激光全部参与成像，既可以实现激光3D立体显示，还提高了二维(2D)显示时的光能利用率。进行2D显示时，入射激光的s偏振光和p偏振光分别对应于不同LCOS同时成像，成像后的图像在屏幕上相互叠加，投影后图像的亮度约为未进行偏振补偿时的2倍。当输入3D视频信号时，正交偏振的p偏振光和s偏振光分别对应于左右眼图像同时成像，观看者配戴由正交偏振片制成的眼镜，可实现双像分离，实现激光3D显示。

用低温光致发光技术,研究了硅单晶中浅能级杂质和热处理引进的缺陷,得到各种浓度掺棚和掺磷的硅的光致发光光渚,并作出了相应的定量分析.实验中已探测到的硼的浓度低达5×10~(11)cm~(-3).观察了光致发光强度与激发光强度的关系,还用光致发光技术分析了450℃附近热处理引进的热施主的行为.结果表明,低温光致发光可以作为测量高纯半导体单晶硅中微量杂质硼和磷的含量及分析热处理硅单晶中的缺陷的有效手段.

在计入相干效应和考虑衬底影响的基础上,提出一种非破坏性的简易分析法。利用此法,由非晶硅试样的光谱透射曲线可确定膜层的厚度、折射率及吸收系数。作为例子,我们计算了α-Si:H及α-SiC:H薄膜的光隙。

AIC和RIE法制备的黑硅纳米林

飞秒激光的低热输入、极小热影响区的特点使其在微纳米尺度材料连接领域有明显的优势。为了将石英玻璃与硅可靠地连接在一起，使用功率为4~30 mW，频率为1 kHz，波长为800 nm 的飞秒激光对石英玻璃与硅进行连接，测试了接头的剪切强度，对接头横截面进行腐蚀处理，观察截面，分析了接头断裂前后的形貌特征，研究了激光参数，如激光功率、扫描速度、聚焦物镜的数值孔径以及离焦量对接头强度的影响规律。实验结果表明，根据焊接工艺的不同，接头强度分布在7~54 MPa之间。将激光准确定位到界面处，在合适的激光功率和扫描速度下可以降低焊缝缺陷，得到剪切强度较高的接头。

针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题，采用化学抛光液CP133对硅片表面进行了抛光处理。研究结果表明，抛光使得金字塔底部区域形貌由“V”型变成了“U”型，明显改善了非晶硅/晶体硅界面的钝化效果。抛光溶液温度低于30 ℃时难以发挥腐蚀作用，但当溶液的起始温度升高至35 ℃时，获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30 s时，太阳电池性能较佳。

智能响应性纳米介孔硅药物递送系统构建与抗肿瘤应用_刘军杰.caj

利用太赫兹(THz)时域光谱技术对两种重要的半导体材料n型硅(n-Si)样品和p型硅(p-Si)样品进行了研究。通过测量自由空间的参考信号和透过样品的THz信号, 经过快速傅里叶变换等一系列数据处理, 获得了它们在0.5～2.0 THz频率范围内的光学参数。结果表明, 在该频率范围内两种样品的折射率和相对介电常数实部基本不随频率变化, 而p-Si样品的消光系数和相对介电常数虚部随频率增大而下降的幅度明显大于n-Si样品。此外, 通过计算获得了两种材料的复电导率和介电损耗, 发现n-Si样品和p-Si样品两者在THz波段都具有良好的介电特性, 适合作为半导体基片材料在THz波段工作。

通过对叠层非晶硅薄膜太阳能电池制备工艺流程的讨论, 提出了在玻璃基材上刻划透明导电氧化物(TCO)层, 非晶硅(a-Si∶H)层和背电极层时需注意的关键工艺, 合适的激光器性能参数以及加工参数, 并根据这些理论参数进行了工艺实验的验证。使用输出波长为1064 nm的调Q激光器和输出波长为532 nm的调Q倍频激光器作为光源, 采用自行设计的4路分光聚焦系统, 在1064 nm激光总功率为16 W, 单路功率为4 W; 532 nm激光总功率为3 W, 单路功率为0.75 W, 重复频率为40 kHz, 扫描速度为1.2 m/s的工作参数下得到了较理想的刻线, 同时提高了加工效率, 分析了刻划时