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自问世以来的半个多世纪， 微电子和集成电路技术可谓发展神速， 其中光刻 技术的发展起到了重要推动作用。 而作为光刻技术发展的重要指标， 不断缩小的 关键尺寸则对如何改善产品线宽均匀度(Critical Dimension Uniformity， CDU) 等关 键参数提出了更高的要求。 光刻机焦平面偏差(Total Focus Deviation， TFD) 精度就 与产品线宽均匀度 CDU 的好坏有着紧密联系， 甚至会影响到产品的最小线宽。 因 此通过提高光刻机镜头的 TFD 精度， 可以达到改善产品线宽均匀度 CDU， 提高良 率的目的。

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