有关射频功率放大器的基础培训，ppt文档

射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端，其技术创新推动了移动通信技术的发 展，是现代通信技术的基础。射频前端模块（RFFEM：Radio Frequency Front End  Module）是手机通信系统的核心组件，RFFEM 的性能直接决定了移动终端可以支持的通 信模式，以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户 的通信质量。 射频前端模组介于天线部分与收发组件之间。手机射频前端主要包括功率放大器（Power  Amplifier）、天线开关（Antenna Switch）、滤波器（Filter）/双工器（Duplexer）、低噪声 放大器（LNA）等器

1. 引言 　　本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 　　2．50MHz/250W射频功率放大器的设计 　　高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。 　　2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点

本文通过对射频功率放大器所采用的三种主要工艺技术进行的简要比较，指出未来的发展趋势在于采用SiGe工艺技术来制造射频功率放大器，这是无线电电子系统设计工程师需要关注的技术趋势。

通信电子线路实验报告，已完成，可供后来人参考~

恩智浦半导体的V09p0版本射频功率模型库可在Microwave Office 内使用，用于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)和砷化镓(GaN) 技术。此版本完全支持NI AWR Design Environment 软件的V11版本， 包括32位和64位环境，同时也支持原先的V10 版本。 这个器件库包含了适用于基站和广播、工业、科学、医疗(ISM)等应用的LDMOS RF 晶体管模型，以及用于航空电子设备和雷达应用的微波晶体管，同时也包含用于一般用途的宽带应用的氮化镓晶体管。由一个简易的NI AWR Design Environment 示范项目来支持。

基于ADS软件的射频功率放大器仿真实现

摘要：射频功率放大器要输出一定的功率给负载，利用负载牵引技术可以弹性地找到所需 功率的负载点。这里描述了基于负载牵引技术的5.2-GHz WLAN 的功率放大器的设计方法， 采用CMOS 工艺设计了放大电路，接着对该放大电路进行负载牵引，在此基础上设计输入 输出匹配网络，最后使用ADS 软件进行整体仿真，得到了满足系统指标要求的功率放大器。 　　功率放大器处于通信系统中信号发射机的最末端，用来放大信号，与小信号放大器不同， 它要输出一定的功率给负载。效率是功率放大器的一个基本指标，就非恒包络调制方式而言， 包络中携带有用信息，因此又需要功率放大器具有一定的线性度。射频功率放大器工作在大 信号

这是 H. Enzinger、K. Freiberger 和 C. Vogel 在 IEEE 电路和系统国际研讨会上发表的论文“射频功率放大器的联合线性效率模型”中提出的模型的实现(ISCAS), 2016。论文可从以下网址下载： www.researchgate.net/publication/290446251

二、综合应用题 45．（7 分）三个进程 P1、P2、P3 互斥使用一个包含 N(N>0)个单元的缓冲区。P1 每次用 produce()生成一个正整数并用 put()送入缓冲区某一空单元中；P2 每次用 getodd()从该 缓冲区中取出一个奇数并用 countodd()统计奇数个数；P3 每次用 geteven()从该缓冲区中 取出一个偶数并用 counteven()统计偶数个数。请用信号量机制实现这三个进程的同步 与互斥活动，并说明所定义信号量的含义。要求用伪代码描述。 答案要点： 定义信号量 s1 控制 P1 与 P2 之间的同步；S2 控制 P1 与 P3 之间的同步；empty 控制生 产者与消费者之间的同步；mutex 控制进程间互斥使用缓冲区。程序如下： semaphore s1=0, s2=0, empty=N, mutex=1;