2022-2028全球与中国半导体激光器市场现状及未来发展趋势

文中叙述了对大电流半导体激光器驱动电源的研制过程。其电源输出直流电流高达数十安培以上；拥有高电流稳定度、低纹波系数、高功

为了解决半导体激光器出射光束发散角大的问题，根据几何光学原理，分别针对半导体激光器弧矢和子午方向的不同发散角度建立数学模型，设计出了在两个相互垂直的方向上具有不同非球面面型的非球面透镜，并在ZEMAX光学设计软件中进行了仿真。经非球面准直透镜准直之后，半导体激光器快慢轴方向的发散角分别从35°和7.5°压缩到了1.8 mrad和 0.84 mrad，在距离光源10m处接收面上的总光功率为0.497 W，光能利用率高达99.4%。结果表明，在相互垂直的方向上具有不同面型的非球面准直透镜对半导体激光器的准直具

980nm半导体激光器输出光谱特性的改善研究与仿真模拟 -毕业设计

半导体激光器设计，写的很细，很清楚，很适合初学者的学习

基于直接调制的DFB半导体激光器在光注入下的频率可调光电振荡器

通过分析高功率线阵半导体激光器(DL)的激光输出特性,设计了-套光束变换装置,可将10 mm宽的线阵DL激光耦合进单根光纤中.变换过程如下:首先用微柱透镜对DL的快轴方向准直,然后利用微台阶反射镜,通过提高慢轴方向光束质量而降低快轴方向光束质量的方法,使得线阵DL两个方向的光束质量相近,从而可以汇聚成-接近圆形的光斑,再用聚焦透镜耦合进单根光纤中.在实验中实现了将输出功率为42 W的连续线阵DL的输出激光耦合进-根芯径为1 mm,数值孔径NA=0.38的光纤中,光纤输出激光功率为连续25 W,整个光束变换系统的耦合效率为59.5%.

光子晶体面发射激光器(PCSEL)是一种可以实现极低发散角(小于1°)、高功率激光输出的新型半导体激光器,在激光雷达、空间通讯、传感和激光加工等领域有着重要的应用前景。由于产生谐振的方式不同,其可分为缺陷模式和带边模式两种类型,其中带边模式光子晶体面发射激光器具有更好的单模特性且易于二维集成等优点。鉴于此,简述带边模式光子晶体面发射激光器的基本原理与研究进展,在理论推导和几个实例的基础上,对如何提高带边模式光子晶体面发射激光器的输出功率进行论述,并提出一种新的功率增强方法,最后对带边模式光子晶体面发射激光器的发展趋势进行展望。

电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义，在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制，另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构，利用Comsol软件仿真模拟侧向限制，发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100 μm的位置刻蚀深度为4 μm的深隔离槽。实验结果表明，工作电流为5 A时，腔长4 mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为 3.6 W，阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95 A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。

通过对波导结构和P包层的掺杂分布进行优化,减少了光场与P包层掺杂区的交叠,从而减小了半导体激光器的内部光学损耗。同时使用宽带隙GaAsP作为势垒层可以减少有源区载流子泄露,实现了内部光学损耗为0.259 cm -1。所制备的975nm波长、100 μm条宽、4 mm腔长单管器件,在室温下器件的连续输出光功率达到21 W。当输出功率为20 W时,功率转换效率仍大于50%。