silvaco讲义-微电子器件与工艺模拟实验讲义.zip

npn的silvaco仿真

此文件的内容为肖特基二极管SBD的silvaco仿真代码，器件中设置了场线环结构，可增大器件的击穿电压。

六、MOSFET工艺仿真 （1） 调用ATHENA仿真器并生成网格信息 go athena line x loc=0.0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.006 line x loc=0.4 spac=0.006 line x loc=0.6 spac=0.01 line y loc=0.0 spac=0.002 line y loc=0.2 spac=0.005 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=0.8 spac=0.15

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（2）为击穿仿真设置模型： models srh conmob bgn auger fldmob #srh对应Shockley-Read-Hall 复合模型，其载流子寿命是固定的。 这里ETRAP是陷阱能级和本征费米能级之间的差值。TL是晶格温度。Taun0和Taup0是电子和空穴的寿命。电子和空穴的寿命是可以自定义的，不同材料具有不同的寿命值。

详细而简单的操作步骤，大家仔细看了之后基本上可以自己定义器件和仿真

Silvaco TCAD器件仿真器件特性获取方式及结果分析.pdf

Doping语句参数详解： 1. 解析分布类型参数介绍 这些参数语句定义了Atlas将如何从解析函数中生成一个掺杂分布. （1）Gaussian类型解析分布 Gaussian定义了高斯解析函数的使用来生成一个掺杂分布。 如果Gaussian被定义了，那么下面的参数必须被定义。 (i) 极性参数 N.type P.type (ii)下列分布定义之一： concentration和 junction 浓度和结深 concenration 和 charactreistic 浓度和特性 dose和characteristic 剂量和特性长度 （2）Uniform定义了使用常数作为解析函数来生成掺杂分布。掺杂会通过边界参数被定义在一个box中。这个box的默认值是整个区域。同样如果Uniform被定义了，那么N.type P.type以及浓度参数都必须定义。

（2）复杂的几何刻蚀例子： 下面的例子刻蚀掉了以(0.8,0)(0.8,-0.15)(1.2,-0.15)(1.2,0)为坐标顶点的矩形氧化物区域. ETCH OXIDE START X=0.8 Y=0.0 ETCH CONTINUE X=0.8 Y=-0.15 ETCH CONTINUE X=1.2 Y=-0.15 ETCH DONE X=1.2 Y=0.0 刻蚀前 刻蚀后