基于Silvaco的pn结仿真与电学性能提取

BJT仿真 Go atlas 调用atlas器件仿真器 mesh 网格mesh初始化 x.m l=0 spacing=0.15 定义x方向网格信息 x.m l=0.8 spacing=0.15 x.m l=1.0 spacing=0.03 x.m l=1.5 spacing=0.12 x.m l=2.0 spacing=0.15 y.m l=0.0 spacing=0.006 定义y方向网格信息 y.m l=0.04 spacing=0.006 y.m l=0.06 spacing=0.005 y.m l=0.15 spacing=0.02 y.m l=0.30 spacing=0.02 y.m l=1.0 spacing=0.12

silvaco讲义-微电子器件与工艺模拟实验讲义.zip

npn的silvaco仿真

此文件的内容为肖特基二极管SBD的silvaco仿真代码，器件中设置了场线环结构，可增大器件的击穿电压。

六、MOSFET工艺仿真 （1） 调用ATHENA仿真器并生成网格信息 go athena line x loc=0.0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.006 line x loc=0.4 spac=0.006 line x loc=0.6 spac=0.01 line y loc=0.0 spac=0.002 line y loc=0.2 spac=0.005 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=0.8 spac=0.15

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（2）为击穿仿真设置模型： models srh conmob bgn auger fldmob #srh对应Shockley-Read-Hall 复合模型，其载流子寿命是固定的。 这里ETRAP是陷阱能级和本征费米能级之间的差值。TL是晶格温度。Taun0和Taup0是电子和空穴的寿命。电子和空穴的寿命是可以自定义的，不同材料具有不同的寿命值。

详细而简单的操作步骤，大家仔细看了之后基本上可以自己定义器件和仿真

Silvaco TCAD器件仿真器件特性获取方式及结果分析.pdf