提出一种依据仿真得到的开关电源噪声进行电磁干扰（EMI）滤波器设计的方法。针对Boost功率因数校正变换器，应用SABER软件仿真不同寄生参数下的噪声幅值，得到了影响共模噪声和差模噪声的主要因素：差模噪声主要是由功率器件的高频模型引起的，而共模噪声则与无源器件的高频模型以及MOSFET对地漏电容相关，且随着漏电容的增加而增加。在考虑功率器件的高频模型、MOSFET的对地漏电容以及无源器件的高频寄生参数等影响的情况下，采用噪声仿真的方法分离出变换器的共模噪声和差模噪声。在此基础上，应用插入电压增益的方法，计算出共模滤波器和差模滤波器的截止频率，设计了EMI滤波器。实验验证了仿真的准确性以及滤波器设计方法的正确性。

EMI滤波器的衰减用插入损耗来表示，本文将探讨电源EMI滤波器插入损耗的计算，以及影响插入损耗的各种原因和改进方法。

详细介绍各种各样的EMI滤波电路，绝对值得从事电路方面工作的人才一看。

单介绍EMI滤波器的构成、原理及主要参数。

摘  要： 文章介绍超宽带EMI滤波器的设计思路，该滤波器的滤波频率可以达到40GHz甚至更高，在频率低端采用LC反射式滤波原理，在频率高端采用高性能吸波材料的吸收式滤波原理。由于引入吸波材料，大于10GHz频段的滤波器仍然可以保证100dB以上的插入损耗，克服了传统LC滤波器在频率高端由于电路分布参数的影响导致滤波性能下降甚至完全失效的弊端。 　　1．引言 　　近十几年来，作为微波实验基础设施的屏蔽室，其应用的频率范围不断扩展，频率高端已由1GHz增加到18GHz，甚至40GHz，预计未来的趋势还会增加到60GHz，甚至100GHz。为保证屏蔽室在整个适用频段范围的屏蔽效能，即不因电源线

用于仿真EMI滤波器、片状陶瓷电容器的滤除效果的软件。包含多层陶瓷电容器，引线型陶瓷电容器，中高压电容器，聚合物电容器，EMI静噪滤波器 (三引出电容器，铁氧体磁珠，共模扼流线圈) ，功率电感器，高频用电感器，负温度系数热敏电阻，正温度系数热敏电阻 (POSISTOR®), 时钟元件 等仿真集合。

本文从直流电源EMI滤波器的设计原则、网络结构、参数确定方法及安装要求的角度，介绍直流电源EMI滤波器的设计。

对电磁干扰的阻带，要求尽可能高的衰减，过渡带曲线尽可能陡。由于EMI滤波器衰减的定义与传统滤波器不同，所以，传统滤波器的各种传递函数表达式和现成的数据及图表均不能直接用于EMI滤波器的设计。EMI滤波器的衰减用插入损耗来表示，本文将探讨电源EMI滤波器插入损耗的计算，以及影响插入损耗的各种原因和改进方法。

EMI滤波器插入损耗的人工测试方法的分析

EMI滤波器基础（村田）