制冷型红外探测器一般指的是利用半导体材料的光子效应制成的探测器,光电效应需要半导体冷却到较低 温度才能够观测,所以红外系统需要制冷后才能使用。由于制冷型红外探测器具有灵敏度高、能够分辨更细微 的温度差别、响应速度快、探测器距离远等优点,广泛应用于高端武器装备中。目前,第三代制冷型红外光电 探测器的材料主要包含 HgCdTe、量子阱光探测(QWIPs)、II 类超晶格(II-SLs)与量子点光探测(QDIPs) 四种。 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)属于带隙可调半导体材料,通过调节 Cd 组分变化,波长能够完全覆盖短波,中波, 长波和甚长波等整个红外波段。碲镉汞红外探测器通过吸收外来光子产生的
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