HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中

与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。性能优越优越的功率器件必需具备以下6个特性：1）器件需要具备更低的传导损耗、更低的阻抗；2）开关必需更快速并在硬开关应用中如降压转换器具备更低的损耗；3）更低的电容、更少充电及放电损耗；4）驱动器使用更少功率；5）器件更细小(缩小占板面积）及6）因为需要更高输出电流和功率密度而需要更低的热阻。我们为工程师带来可支持意想不

讲述氮化镓的驱动性文件资料

PI InnoGaN 系列产品SC1933C，内置控制器以及GaN功率器件，不仅集成度高，而且效率也高，发热少。

行业资料-电子功用-一种氮化镓晶片光电化学机械抛光液及抛光方法.pdf

作为新型功率器件，GaN器件越来越多的得到关注，但是如何很好的应用是关键。

适合一二级市场投资者

基于氮化镓芯片的C波段T_R组件的实现.pdf

完整英文电子版JEDEC JEP180.01：2021 Guideline for Switching Reliability Evaluation Procedures for Gallium Nitride Power Conversion Devices （氮化镓功率转换器件的开关可靠性评估程序指南 ）。本文档供GaN产品供应商和相关电力电子行业使用。 它为评估GaN电源开关的开关可靠性并确保其在功率转换应用中的可靠使用提供了指导原则。 它适用于平面增强模式，耗尽模式，GaN集成电源解决方案和共源共栅GaN电源开关。

基于自支撑技术的氮化镓HVPE生长研究及进展