《IGBT和IPM应用电路》在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。

比较MOSFRT 和IGBT区别，在实际应用的优缺点

功率器件资料，LIGBT、LDMOS、IGBT、MOS等器件，器件工作原理的基本

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬•林德（Stefan Linder）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

本文档为英飞凌厂家编著，由英文版IGBT Modules - Technologies, Driver and Application翻译而来，内容非常全面，基本上涵盖了igbt相关的所有内容. 首先介绍了IGBT的内部结构，然后通过电路原型或基本模型推导出的IGBT变体形式。在此基础上，探讨了IGBT的封装技术。本文档还讨论了IGBT电气特性和热问题，分析了IGBT的特殊应用和并联驱动技术。这些分析还包括了IGBT的实际开关行为特性、电路布局、应用实例以及设计规则。

IGBT器件的发展过程，主要阐述 了 的发展历程 、国 内外现状 、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方 向 。

用SPWM正弦波脉宽调制，通过改变调制频率，实现交直交变频的目的。设计电路由三部分组成：即主电路, 驱动电路和控制电路。

PWM IGBT sg3525 直流斩波电路 电力电子课程设计 刚答辩

IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例.pdf,周志敏,2014

一款IGBT驱动器，内有电路结构和引脚描述等，是一个较老的驱动IC