P沟MOS晶体管 P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS

静水环境中径向紊动射流数值模拟，槐文信，李志伟，本文对静水环境中的径向射流进行了实验研究，实验是在实验室的自制循环系统中进行，基于PIV测速仪得到了多种工况射流中线流速分布

径向射流稀释特性数值模拟，李志伟，槐文信，对静水环境中的径向射流进行了实验研究，实验是在实验室的自制循环系统中进行，基于PIV测速仪得到了多种工况射流中线流速分布资料

雷神模拟器64_1.0.10.exe

方便硬件开发者生成0~20mA模拟量，相细写明了计算过程及相关参数选型。

S7200PLC 模拟量4－20 mA转换成整数程序算法示例，以及模拟量数据滤波平缓处理，消除曲线的尖峰毛刺程序示例。连续采集10个数，找出最大值，最小值，十个值相加－减去最大值和最小值，除以8，求平均值，即可，数显示比以前稳定多了。 1、以下程序是把4－20mA对应的400－1200度的量程的测温探头的温度转换 2、模拟量模块（比如AIW0、AIW2、AIW4、AIW6等等，要看模块的位置）读取（0～20ma的转换为0～32000，4～20ma对应6400～32000）

烟气选择性催化还原(SCR)系统的流场影响氨氮混合及反应物停留时间进而影响脱硝效率。基于fluent 6.3软件,对某300 MW亚临界机组的SCR系统的流场及氨氮混合情况进行了数值模拟。结果表明:在该SCR脱硝系统中,因烟道布置中存在截面变化的大小头及急转弯头,反应器前烟道流场出现严重不均。氨喷射(AIG)下游速度标准偏差达20.9%,速度角度标准偏差为23.5%;反应器入口速度偏差达17.3%,存在大面积速度低于4 m/s的区域,会堵塞催化剂,影响脱硝反应。流速不均导致氨氮混合较差,AIG区域下游氨氮物质的量比偏差高达47.2%,反应器入口近50%区域氨氮摩尔比低于0.8,严重偏离脱硝反应系数比1,脱硝效率仅66.48%。该系统整体压降较高,运行经济性较差。

为了获取综采工作面隔尘空气幕的合理设计参数,提高其隔尘效率,改善作业环境,以平煤八矿1240综采工作面为研究背景,利用计算流体力学软件Fluent6.3,对不同的空气幕出口风速和出口宽度下综采工作面空气流场及空气幕两侧的粉尘浓度分布进行数值模拟,研究确定空气幕最佳隔尘效果时的参数。研究结果表明:对于所研究的工作面,当出口风速为4 m/s,出口宽度为30 mm时,空气幕隔尘效果最佳,此时司机侧粉尘浓度最低。

Android 模拟器 Genymotion 安装配置与 ARM 支持

Qt qml加载Html百度地图 qml发送模拟经纬度控制地图图标移动。 Windows：5.15.2+vs2016 Android：5.12