我们提供了中微子质量的两环Zee-Babu模型的允许参数空间的更新扫描。 考虑到有关<math altimg =“ si1.gif” xmlns =“ http://www.w3.org/1998/Math/MathML”> μ → e γ </ math>以及混合角度<math altimg =” si2.gif“ xmlns =” http：// www.w3.org/1998/Math/MathML“> θ 13 </ math>我们获得了1到2 TeV之间的单电荷和双电荷标量的质量的下界，这在一定程度上取决于微扰性和微调要求。 即使对光度进行了乐观假设，这也使得标高在14 TeV的LHC上很难观察到标量，并且需要多TeV线性对撞机才能看到标量共振。 但是，我们指出，在类似符号模式下的TeV线性对撞机可能

无线电技术是一种有前途的方法，用于通过一系列无线电天线检测能量在100PeV左右或更高的宇宙射线空气喷淋。 由于可以绝对地测量无线电信号的幅度，并随淋浴能量的增加而增加，因此可以使用无线电测量以绝对比例确定空气淋浴器的能量。 我们显示，与基于其他技术测量空气淋浴的主机实验相一致的无线电探测器的校准测量结果可用于比较这些主机实验的能量规模。 使用两种方法，一种是通过直接幅度测量，另一种是通过将测量结果与风淋室模拟进行比较，我们使用无线电扩展Tunka-Rex和LOPES比较了空气淋浴实验Tunka-133和KASCADE-Grande的能级 ， 分别。 由于使用相同的参考源对Tunka-Rex和LOPES进行了一致的幅度校准，因此该比较的准确度约为10％-受LOPES的一些缺陷的限制，这是空气淋浴数字无线电技术的原型实验 。 特别是，我们证明了通过独立校准的实验KASCADE-Grande和Tunka-133进行的宇宙射线测量的能级在此水平上彼此一致。

在两希格斯二重峰模型的框架内，我们试图找到一些离散的，非阿贝尔风味的对称性，这些对称性可以为轻子的质量和混合矩阵元素提供解释。 与标准模型不同，当前不需要破坏风味对称性。 通过gap程序，我们研究了U3群的所有有限子群，直到1025的量级。直到这个顺序，没有一个群可以选择自由模型参数来匹配带电轻子质量，质量 中微子，以及Pontecorvo-Maki-Nakagawa-Sakata以令人满意的方式混合矩阵元素。

由于选择参数可能会导致微观参数的微调，因此电弱标度可能很低。 除了标准模型希格斯玻色子以外，其他新型轻质基本标量的实验发现似乎不利于这种可能性，因为一般而言，这种状态暗示着参数上较差的微调，而与选择效果没有令人信服的联系。 我们讨论了反例，其中由于微调，希格斯玻色子是轻的，而第二标量双峰是轻的，因为离散对称将其质量与标准模型希格斯玻色子的质量相关。 我们的示例需要在电弱尺度上使用新的矢量费米子，并且这些模型具有丰富的电弱真空结构。 由于离散对称和全同构之间的不兼容，我们讨论的机制不能在MSSM的分裂或大规模超对称破坏情景中保护较小的CP奇希格斯质量。

我们通过包括O（mb）校正，在Z2对称性较弱的两个希格斯二重态模型（2HDM）的框架内，计算了与所有排他b→sℓ+ℓ-衰减相关的前导Wilson系数。 当处理（伪）标量运算符时，我们需要阐明在完全和有效理论之间适当匹配的问题，对于这些运算符，必​​须使外部矩保持为零。 然后，我们使用测得的B（Bs→μ+μ-）和B（B→Kμ+μ-）high-q2进行现象学分析，以控制强子波不确定性，并讨论它们对各种类型的影响。 2HDM。 还简要讨论了τ-轻子在最终状态下的衰变。

我们提出一种具有局部U（1）对称性的嗜中性两希格斯双峰模型，其中活跃的中微子是狄拉克（Dirac）型，并且即使自发对称性破坏后，由于剩余对称性，自然也会诱导出铁离子暗物质（DM）候选物 。 此外，物理的戈德斯通玻色子由于两种类型的规整单重子玻色子而产生，并且有助于DM现象学以及附加的中性规整玻色子。 然后，我们在直接检测搜索的安全范围内分析了DM的残留密度，并显示了暗物质质量的允许​​区域。

我们讨论了具有软破碎的离散S3对称性的两个希格斯对偶模型，其中带电轻子的质量矩阵被预测为轻子场的弱本征基础中的对角形式。 与引入Z2对称性类似，可以通过将S3对称性强加给模型来禁止更改树级别风味的中性电流。 在S3对称下，取决于右手费米子的S3电荷，汤川相互作用有四种类型。 我们发现，额外的希格斯玻色子在汤河相互作用的四种类型之一中可能是介子和电子特有的。 此特性在其他任何两个Z2对称性较弱的希格斯对偶模型中均不会出现。 我们在大型强子对撞机上讨论了μ子和特定于电子的希格斯玻色子的现象。 也就是说，我们从当前的希格斯玻色子搜索数据评估允许的参数区域，以及在14 TeV运行时发现此类希格斯玻色子的潜力。

我们对π，K，D（s）和B（s）介子的风味可观察性进行了全面研究，以限制两个希格斯双重峰模型（2HDM）具有自然风味保持性，即Z 2对称（I，II， X，Y）和对齐的模型类型。 使用更新的理论预测和B→τν，D→μν，D s→τν，Ds→μν，K→μν，π→μν，B s 0→μ+μ−，B d 0→μ的实验分析 +μ−，τ→Kν，τ→πν，B→X sγ$$ \ overline {B} \至{X} _s \ gamma $$，K‐K¯$$ K \ hbox {-} \ overline {K} $$混合，B d 0-B d 0 $$ {B} _d ^ 0 \ hbox {-} {\ overline {B}} _ d ^ 0 $$混合，B s 0-B s 0 $$ {B} _s ^ 0 \ hbox {-} {\ overline {B}} _ s ^ 0 $$混合，我们获得了2HDM中参数的约束。 在计算约束时，我们注意确定CKM矩阵元素，并将其重新拟合为实验数据，以使来自其他希格斯玻色子的新贡献不会影响确定。 结果，我们发现从II型和Y型的B→X sγ$$ \ overline

我们提出了一个新框架，用于在两个希格斯双重峰模型（2HDM）的上下文中生成标准模型（SM）夸克风味层次结构。 “美味” 2HDM仅将类似于SM的希格斯双峰与第三夸克相结合，而前两代仅与电弱对称性破坏的附加源相结合，从而可能产生惊人的对撞机特征。 我们使用“风味锁定”机制合成了风味2HDM，该机制通过风味盲入口动态生成大型夸克质量层次结构，以区分不同的黄酮和层级部门：黄酮的动态排列允许唯一的层次结构控制各自的夸克质量。 我们进一步发展了该机制的理论构造，并表明在可口的2HDM类型设置的背景下，它可以自动实现逼真的味觉结构：CKM矩阵自动以| V cb |分层。 和| V ub | 通常具有观察到的尺寸。 也可能会产生对介子振荡观测值的外来贡献，这可能比SM本身适应性更好。

本文详细介绍了忆阻器模型在神经元电路仿真中的应用。首先，文章描述了非易失性忆阻器（AIST模型）的SPICE语言实现，包括其参数设置和窗口函数。随后，介绍了易失性忆阻器的SPICE模型，重点讨论了遗忘速率和保留率等关键参数。在LTSpice仿真中，展示了忆阻器的输入输出特性。第二部分聚焦于神经元模块的设计，使用了易失性忆阻器VM和特定型号的MOS管（M2SK530和M2SJ136），并详细说明了阈值电压的设置（VL=-1V，VH=1.6V）。仿真结果表明，只有当VM超过阈值电压（0.6V）时，神经元电路才会产生输出。整个研究为忆阻器在神经形态计算中的应用提供了具体实现方案。 忆阻器作为电阻记忆器的简称，是一种具有记忆功能的非线性电阻器。其关键特性在于电荷量与电阻值之间的依赖关系，这让它在模拟神经元电路中扮演了重要角色。非易失性忆阻器，特别是AIST模型，具有稳定的记忆状态，在断电后仍能保持存储的信息。在本文中，非易失性忆阻器的SPICE模型被实现，涉及到了具体的参数设置，如窗口函数的定义，这些参数直接影响了模型的行为特性。 易失性忆阻器与非易失性忆阻器不同，它们的记忆功能会在一段时间后消失，除非通过周期性的刺激来保持。这部分内容探讨了易失性忆阻器的SPICE模型，关键参数如遗忘速率和保留率，这些参数决定了信息保留的时间长短和易失性特性。 在LTSpice仿真工具中，忆阻器的输入输出特性得到了验证，这为后续神经元电路的设计提供了基础。神经元模块的设计是本文的第二部分重点内容。设计中使用了特定型号的MOS管和易失性忆阻器VM，并设置了一个重要的阈值电压，这个阈值电压决定了神经元电路产生输出的条件。仿真结果清晰地显示，只有当VM超过设定的阈值电压（0.6V）时，电路才会产生预期的输出。 从上述内容来看，忆阻器的特性在神经元电路仿真中得到了有效的应用，它不仅模拟了生物神经元的行为特性，还显示了在神经形态计算领域的巨大潜力。这项研究为忆阻器在神经形态计算系统中的应用提供了具体的实现方案，其中包括了忆阻器模型的SPICE语言实现，以及神经元模块设计与仿真验证。这些成果有助于推动忆阻器技术在人工神经网络和计算神经科学领域的深入研究。 忆阻器作为模拟生物神经元行为的电子元件，其独特的电阻记忆特性和非易失性或易失性的记忆功能，使得它在构建人工神经网络和神经形态计算模型时具有天然的优势。通过SPICE模型的准确实现和仿真实验验证，忆阻器在神经元电路设计中的应用变得更加具体化，有助于未来在更高效能和更低能耗的人工智能计算系统设计中的应用。这项研究工作的深入将可能推动忆阻器技术在神经形态硬件实现中的广泛应用，并进一步促进相关领域的技术进步和应用发展。