用L-Edit绘制电容版图的具体步骤如下： （1）新建电容单元：执行Cell/New子命令，打开Create New Cell对话框，在其中的New Cell name栏中输入单元名称，如：Cap，然后单击OK按钮。图5.1 电容版图 （2）绘制电容单元：电容中要用到Poly、Poly2、Metal1、Poly Contact、Poly2 Contact、Poly-Poly2 Capacitor ID等图层，电容的有效面积是Poly、Poly2的正对面积，也就是Poly2的面积。先画一层Poly2，尺寸为50×50栅格；接着画Poly-Poly2 Capacitor ID，与Poly2重合；再画一层Poly，尺寸为64×56栅格。在Poly2上放置Poly2 Contact，注意Poly2 Contact要与Poly-Poly2 Capacitor ID最少间隔为3个栅格，放置Metal1将Poly2 Contact包住，Metal1与Metal1之间的间隔为3个栅格；用同样的方法在Poly上放置Ploy Contact。图中尽量多的放接触点是为了减小金属与多晶硅之间的接触电阻。分别把Poly接触孔、Poly2接触孔用Metal1连接起来，作为电容与外界相连的两个端口。

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PN结电容 　　增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压（硅芯片为0.6 V）的正偏置电压，势垒电容是主要的电容。在实际应用中，根据结面积和掺杂浓度的不同，势垒电容可以小至零点几pF，也可以达到几百pF。结电容与施加的偏置电压之间的依赖关系被称为结的电容-电压（CV）特性。在本次实验中，您将测量各个PN结（二极管）此特性

1、超级电容电压均衡模型　　采用的超级电容电压均衡模型为四个超级电容B1~B4串联的多重SEPC斩波电路，如图1所示，主要由电容Ca、电L、开关Q以及C、L、D（F1…：4）组成，其中电容C向整个电路供电，不需要外接电源。在该均压模型中，只有一个开关器件Q，明显简化了电路的拓扑结构，且开关Q接地，不需要浮动栅极驱动IC，电路驱动简单。此外，在均压过程中，开关占空比恒定，不需要检测串联超级电容器的单体电压。即当电路工作在DCM模式时，系统不需要反馈控制环节，这样可以降低系统的控制难度。　　2、多重SEPC斩波电路均压原理分析　　2.1均压原理　　多重SEPIC斩波电路在CCM模式和DCM模式下的

首先申明一点：电感是可以充电的，但它不能像电容那样长期储存电能。 它会在电流没有变化时把电能释放出去，一旦电流稳定了，其电能就没有了。 电感的充放电方向由外界方向方向决定。电总与电流变化方向相反。但它并不能阻止电流的变化。当外电流是正向增加，其充电方向就为正，外电流负向增加，其充电方向就为负。当外电流是正向减小，其放电方向就为正。处电流负向减小，其放电方向就为负。故其方向由完全由外界电流方向决定。 如果是直流电，电流方向不变，则电感充放电方向均为电流方向。如果是交流电，电感充放电方向就为交流瞬时方向，但该瞬间是放电还是充电，就得看正弦交流电的切线方向了。 电容电感充放电 L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。 RC电路的时间常数：τ =RC 充电时，Uc=U×［1-e^（-t/τ ）］U是电源电压 放电时，Uc=Uo×e^（-t/τ ） Uo是放电前电容上电压 RL电路的时间常数：τ

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不幸的是，这不是一个工作文件。 过去几天我一直在努力弄清楚为什么我无法阻止来自“受控电流块”的电流流动。 我玩过代码以及不同类型的开关。 如果有人能够就如何控制此开关提出建议，将不胜感激。 另外，请忽略设计的其余部分。 我还没有完成 PWM 频率和电容值的设置。 我只关心如何控制这个开关。 提前谢谢大家！

本文介绍了变容二极管在LC振荡器中的应用

1、 设定开关工作频率：f=60kHz，输出电流Io=1A；根据变压器，输入、输出电压求实际最大占空比Dmax=0.457； 　　2、 计算Toff、Ton： 　　Toff=1/f*(1-Dmax)=9.05   Ton=1/f*Dmax=7.62 　　3、 计算输出峰值电流： 　　4、 根据反激式输出波形，来计算输出电容量： 　　由上图波形可知：Io减少、Uo也减小，即输出电解电容主要维持t1到t2时间段电压。设输出纹波为120mV则： 　　5、 纹波电流，一般取输出电流的5%～20%，即Inppl=20%*1=0.2A实际每个电解电容的纹波电流为0.2A，故满足设计

148、电容充放电产生方波,再经积分器转成三角波,再经微分器转成方波proteus仿真资料.rar