ZVS即所谓零电压开关（ZVS）/零电流开关（ZCS）技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理： 1. 上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2，L3是在同一磁芯上绕制，本身存在磁耦合，所以，对磁芯的励磁电流为IL2，IL3之和。之前提到IL3》IL2，而且从抽头看去，IL2，IL3的电流方向相反，所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用（有一部分抵消掉L2的励磁）。明白这点以后，继续往下分析。 3. 见图1，在上电瞬间，L2，L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示，因为具有相同的磁路，Ip1将在L2上产生一个互感电流，图中用蓝色线条表示，L2 L3与C1构成并联谐振，这个互感电流的方向同IL2相反，如此正反馈造成的结果是IL2越来越小，最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时，B点电压升高，D1截止，C点电压保持12V，MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小，A点近似接地，D2导通，将D点电位强行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。 6. 整个过程中，翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定，因为有C1构成谐振，初级电压波形呈完美正弦波，谐波分量大大减小，漏感的影响不复存在，因此变比等于匝比。L1为扼流电感，利用电感电流的不可突变特性，保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时，电路空载电流会增大，而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理，所以在磁芯工作在滞回线1，3象限的饱和临界点之间，磁芯的储能作用得以最大发挥，传递功率相当大。

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MAX1674： 输入范围0.9V－5.5V 输出可固定5V或3.3V，也可在2V－5.5V之间选择 在5V输出200mA时DC－DC效率能达到94％ 图1 用MAX1674输入1.5v升5v升压器 升压器1.5v升5v电路图（二） 提供输出到2.5V至3.0V电路将产生约70％的效率，输出电流为20mA。 升压器1.5v升5v电路图（三） 1.5V升9V电源电路图如附图所示。该电路为间歇式振荡升压电路。BG1与L1、L2、C1等构成振荡器。BG1为振荡管，工作在开关状态。L1、C1为振荡反馈元件。L2为振荡储能绕组。为了方便，电路还设计了由BG3构成的自动电子开关。当BG3的基极没有负载时，也就没有基极电流，BG3、BG2、BG1均截止，整个电路停止工作，不消耗电源。因此，本电路不需设立单独的电源开关。 当A、B两点接上负载时，BG3导通，BG2也跟着导通，通过负载为BG1提供基极电流，BG1导通，能量从电源流入并储存在L2中。此时BG1集电极电压很低，D1截止，负载由C2残存电压供电。当BG1截止时，L2中电流不能突变，它将产生出较高的逆程电动势，经D

SDB628芯片带输入接反保护的升压电路；该电路可以应用在移动电源，便携式PDA,医疗，美容等领域。输入电压2.5~6V,输出电压可达20V,电流500MA；应用稳定可靠；

mc34063 5v-12v