基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论的第一性原理计算了R相和M1相VO2的电子能带结构和声子色散关系.计算发现:R相VO2的金属性主要来自于未满的t2g 轨道中能量最低的3条轨道,当温度低于340 K时,由于V原子链的二聚化和扭曲作用使M1相中的2条t2g 轨道降至费米能级以下,从而使M1相表现出半导体特性;在VO2的声子色散谱中沿ΓM和ΓZ方向出现了明显的声子软模,导致这一软模出现的原因是晶体中的电-声相互作用;因此,电-声相互作用是导致VO2金属-绝缘结构相变的直接原因.
2021-05-31 11:03:01
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高校 相变存储器
2021-05-26 14:00:38
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基于横场伊辛模型，利用平均场近似理论推导久期方程的解，研究了单、双表面层铁电薄膜在不同总层数时，系统表面交换相互作用和内、外横场参量对铁电-顺电相变的影响，讨论了铁电薄膜各交换相互作用和横场参数以及薄膜层数对单、双表面铁电薄膜相图的影响，并计算了各个相互作用参数的过渡值特性。研究结果表明: 薄膜总层数n、表面层数、内外部横场、表面交换相互作用都会改变铁电薄膜的相图。利用薄膜的尺寸效应和表面效应，增大系统总层数、表面层数和表面交换相互作用，可以提高薄膜相变温度，扩大铁电相区域，从而有利于改善铁电功能器件的环境温度。
2021-04-28 20:09:33
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