电源EMI滤波器的技术特性及其选用，陈训龙，，讨论了电源滤波器技术，重点介绍了电磁干扰EMI（Electromagnetic Interference）滤波器的特性参数、技术原理以及选用时注意事项；典型滤波�

煤矿井下电力系统中,大功率设备的启停、电力系统短路故障、启停开关设备和变频设备,会产生浪涌。本文建立了圆柱形隔爆外壳屏蔽衰减模型,研究了圆柱形隔爆外壳的对浪涌电磁辐射的屏蔽特性,研究结果表明屏蔽外壳对于浪涌电磁辐射具有很强的屏蔽作用,研究结果可为煤矿井下电磁兼容标准制定和矿用电工电子产品设计提供依据。

开展大理岩、灰岩和砂岩的常规三轴试验,研究岩石变形过程的能量非线性演化特征。结果表明:岩样屈服前外力功大部分转化为弹性应变能存储于岩样内部,耗散能增加的很少,屈服点后耗散能快速增加,弹性能增速变缓。岩石的极限存储能具有围压效应,随着围压增加,岩石破坏时的极限存储能逐渐增加。极限存储能还与岩石本身的性质有关,岩石的强度越高,脆性越强,极限存储能愈大。灰岩极限存储能最大,大理岩极限存储能次之,砂岩极限存储能最小。根据弹性能和耗散能的演化规律,构建了岩石变形破坏过程中弹性应变能的非线性演化模型,理论模型与3种岩石的试验结果吻合较好。

　一，有着广视角对于表贴屏显来说，在水平方向有着一百一十度以上的视角，在垂直方向也有着相同的表现，在很多的外部环境里，这样的大视角都是非常的有优势的。 　　二， 在配光上来说，蓝色红色和绿色LED在各个角度上看上去其亮度都是相同的，这个能让屏显更完美的展示自己的播放效果，不论观看者在何种角度都可以欣赏到最好的色彩画面，而不会像其他类型的屏显那样，在角度偏差的情况下，存在色彩失真的情况。。。。

CO2微波重整CH4反应中碳基催化剂积炭特性，李龙之，宋占龙，本文以木质活性炭为催化剂，在微波加热综合实验系统上，研究了催化剂积炭对CO2重整CH4反应的影响，分析了不同微波功率和CH4/CO2比值�

Cr-W-Mo-V高合金高碳钢的二次硬化特性及回火硬度计算，马永庆，张洋，Cr-W-Mo-V高合金高碳钢高温回火时的二次硬化有两种形式，其一是最高回火硬度对应着一定的淬火温度和回火温度，且回火温度随淬火温度

根据结构的不同，VMOS管分为两大类:VVMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。

国巨电容也称为贴片电容，是无铅环保型电容，其形状是片状型，具有电容范围宽，温度特性宽，耐压范围宽，可靠性高等优点，广泛应用于高科技行业。 国巨电容的特性 1、先进的薄层化技术，使产品小型化，大容量。 2、独石结构，确保产品的机械强度及可靠性。 3、高尺寸精度，保证元件安装的高效率。 4、容量低漂移，可用于各种形势的采杨电路。 5、低残留电感，保证了出色的频率特性。 国巨电容的优点 1、微型化：携式信息与通信终端的小型化、轻量化。包括移动电话、笔记本电脑、W-LAN、MP3数码相机、摄像机等。 2、高品质、低成本化：贱金属电极材料（BME）技术。质优价廉的计算机、通信及数字视听A&V产品迅速普及。 3、高可靠性：高频/高压化、高Q值。适用于RF模块，CRT与主板电源滤波，LCD背光。 4、无铅无镉、绿色环保。 国巨电容命名规则 国巨电阻都是以R开头，前面2个字母表示电阻的系列名称。RC表示一般厚膜电阻，例如：RC0402JR-07100KL；RL表示低阻值电阻，如RL0603JR-070R12L；RT表示高精密厚膜电阻；RJ表示薄膜电阻；RV表示高压电阻。

分层地层对透地通信电磁波的传播特性有重要影响。现有的研究主要是基于规则分层地层模型对电磁波透地传播特性进行分析,但分层地层往往是不规则的。为此,基于所建立的不规则分层地层模型,将分层地层模型分界面抽象为平面、正斜面和负斜面。根据电磁波入射角与分层地层倾斜角的几何关系,推导了电磁波在不规则分层地层中正向和反向传播时电场强度和磁场强度的衰减情况。仿真表明分层地层的不规则性与电磁波进入分层地层介质的先后次序均对电磁波的传输衰减有重要影响。虽然电场强度和磁场强度随着透地距离的增加都显著地衰减,但电场强度和磁场强度的衰减特性并不相同。此外,无论是对电场还是磁场,由于在分层地层分界面电磁波都要产生反射,因此,电磁波在进入到另外一层媒质时电场强度和磁场强度都会产生一定程度的突变衰减。

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。 Vg‐Id 特性