我们通过包括O（mb）校正，在Z2对称性较弱的两个希格斯二重态模型（2HDM）的框架内，计算了与所有排他b→sℓ+ℓ-衰减相关的前导Wilson系数。 当处理（伪）标量运算符时，我们需要阐明在完全和有效理论之间适当匹配的问题，对于这些运算符，必​​须使外部矩保持为零。 然后，我们使用测得的B（Bs→μ+μ-）和B（B→Kμ+μ-）high-q2进行现象学分析，以控制强子波不确定性，并讨论它们对各种类型的影响。 2HDM。 还简要讨论了τ-轻子在最终状态下的衰变。

提出了在质子-质子碰撞中以质子能量为13 TeV衰变成希格斯玻色子对的新的大质量粒子的搜索方法。 在大型强子对撞机中使用CMS检测器收集数据，对应的综合光度为35.9 fb -1。 使用以下事件进行搜索，以寻找质量介于0.8到3.5 TeV之间的共振：一个希格斯玻色子衰变成一个底部夸克对，另一个衰变成两个W玻色子，然后衰变成一个轻子，一个中微子和一个夸克对。 希格斯玻色子衰变是通过将最终状态夸克确定为增强射流中的子结构的技术来重建的。 数据与标准模型预期一致。 排除限用于一般自旋0和自旋2大规模共振的截面与支化分数的乘积。 在具有扭曲的额外空间尺寸的模型中，在光子和大量引力子产生的背景下解释了结果。 这是迄今为止从搜索HH共振衰减到此最终状态以来的最佳结果，并且与在其他通道中搜索质量低于1.5 TeV的共振的结果可比。

我们通过衰减拓扑缺陷（特别是宇宙弦）研究暗物质的产生。 在拓扑缺陷或``自上而下''（TD）方案中，暗物质注入速率随幂次随时间变化，指数为p-4。 我们找到了所有p <3/2的收益率的封闭式公式，该公式可以精确地重现Boltzmann方程的解。 我们研究了由宇宙串引起的两种情况（p = 1，p = 7/6），这些宇宙串衰减成具有高分支分数的TeV尺度状态，变成了暗物质粒子。 对于通过s波或p波消灭的暗物质模型，我们找到了参数空间的区域，在该区域中TD模型可以解释由普朗克测量的暗物质残留物密度。 我们发现，即使标准冻结计算低估了文物密度，拓扑缺陷也可能是暗物质的主要来源，因此可能导致暗物质an灭率的潜在``提升因子''增强。 我们研究了由于单一性导致的这种情况下与暗物质模型无关的限制，并讨论了来自间接暗物质搜索实验的示例与模型有关的限制。 在所研究的四种情况下，具有明显通道进入TeV尺度状态的弦的Gμ的上限比当前的宇宙微波本底限值严格得多。

SU（3）味违反衰变J /ψ→Ξ（1530）-Ξ++++ c.c。 用BEPCII的BESIII检测器收集的（1310.6±7.0）×106 J /ψ事件进行研究，测得的分支分数为B（J /ψ→Ξ（1530）-Ξ++++）=（3.17 ±0.02stat±0.08syst）×10−4。 此结果与以前的测量结果一致，精度提高了一个数量级。 首次测量该衰减的角度参数，发现其为α= -0.21±0.04stat±0.06syst。 另外，我们报告了辐射衰减Ξ（1530）-→γΞ-的证据，其显着性为3.9σ，包括系统的不确定性。 分支分数的90％置信水平上限确定为B（Ξ（1530）-→γΞ-）≤3.7％。

我们研究了反应的实验DK不变质谱，B0→D-D0K +（通过BaBar协作测量）和Bs→π+D¯0K-（通过LHCb协作测量），在阈值上方可以看到增强 。 我们表明，这种增强是由于Ds0 *（2317）的存在，它是I（JP）= 0（0+）扇区中的DK绑定状态。 我们采用统一的振幅，并通过重介子手性摄动理论确定了相互作用势。 我们获得质量MDs0 * = 2315-17 + 12-5 + 10MeV，并且还通过Weinberg合成条件表明，在该状态的波动函数中DK分量为PDK = 70-6 + 4- 8 + 4％，其中第一个（第二个）错误是统计性（系统性）。

提出了在左对称模型的框架内寻找右旋规矩玻色子WR的方法，其衰减为增强的右旋重中微子NR。 它基于质子-质子碰撞的数据，质子中心在2015年，2016年和2017年期间在大型强子对撞机上由ATLAS探测器收集的质心能量为13 TeV，对应的综合光度为80 fb $ ^ {−1} $。 分别搜索最终状态下的电子和μ子。 搜索的一个显着特征是使用包含电子的大半径射流。 与预期信号相比，基于信号拓扑的选择会导致更小的背景。 没有观察到与标准模型预测的显着偏差，并且在WR和NR质量平面中设置了下限。 对于质量范围为0.1–1.8 TeV的NR，WR的质量值小于3.8–5 TeV。

提出了寻找重共振衰变成一对Z玻色子或Z玻色子和W玻色子（ZZ或WZ）的方法，其中Z玻色子衰变为一对中微子，另一个玻色子强子衰变成两个准直夸克。 重建为高能量的大圆锥射流。 搜索是使用2016年CERN LHC上CMS检测器收集的数据在质子-质子碰撞中以13 TeV的质心能量进行的，对应于35.9 fb-1的总积分光度。 在数据方面没有观察到与背景预期有关的过多情况。 结果超出了标准模型的物理解释范围。 生产自旋1 W'玻色子的生产横截面的95％置信水平下限设定为0.9 fb（63 fb），包括在重矢量三重态模型中，质量为4.0 TeV（1.0 TeV），0.5 fb（40 fb）适用于质量为4.0 TeV（1.0 TeV）的自旋2主体引子。 在3.1TeV和3.4TeV的重矢量三重态模型的两个版本中，分别对W'玻色子的质量设置了下限。

一个新的理论框架，基于应用于中微子的开放系统的量子场理论，已经被开发来描述外部环境中的中微子演化，这解释了中微子量子退相干的影响。 所开发的新方法使人们能够获得退相干和弛豫参数的显式表达，这些参数用于解释中微子参与的特定过程，以及外部环境和中微子本身（包括中微子能量）的特征。 我们已经使用这种方法来考虑在天体环境中中微子辐射衰变导致光子和暗光子产生的中微子量子退相干的新机制。 即将进行的新型大体积中微子探测器的前景突出了进行研究的重要性，这将为超新星中微子通量的高统计测量提供新的前沿。

在将非超对称SO（10）直接破坏为标准模型的过程中，我们研究了暗物质（DM）通过与右手中微子（RHν）混合而衰减而产生具有I型跷跷板质量的高能IceCube中微子的可能性。 代替最近的标准模型扩展中提出的一种通用混合和一种常见的较重RHν质量，我们发现导致自然分层RHν质量的潜在夸克-轻子对称性预测了它们各自的混合。 我们从DM衰减速率转变为轻中微子风味的跷跷板预测中确定这些混合。 我们进一步表明，这些混合来自解决相关宇宙域壁问题所需的普朗克规模辅助的自发破碎物质奇偶性。 这导致了对新的LHC可访问物质奇偶希格斯标量的预测，该奇偶标量也以其质量M×S≃177GeV在希格斯势中完成了真空稳定性。 我们还讨论了与IceCube中微子通量有关的衰变暗物质的残留物密度的实现。 还进一步指出了两个单独的最小SO（10）模型来预测这种暗物质动力学，其中来自中间质量126H†或210H的单个标量约数实现了精密量规耦合。 尽管存在两个大型希格斯表示和铁离子暗物质宿主45F，但仍可预测实验可获得的质子寿命，不确定性降低。

Hittite公司推出的HMC792LP4E是一款工作频率覆盖DC至6 GHz范围的6位数字衰减器，其最小衰减步进为0.25dB，最大可以衰减至15.75dB。该衰减器具备出色的线性度，输入三阶交调点(IP3)高达+55dBm，同时在2.0 GHz频率下插入损耗仅为1.8dB。HMC792LP4E支持3V或5V的单电源供电，这种数字衰减器设计用于蜂窝/3G基础设施、WiBro/WiMAX/4G移动宽带、微波无线电和VSAT通信、测试设备与传感器以及中频(IF)和射频(RF)应用。 数字衰减器是现代通信系统中不可或缺的一部分，尤其是当需要精确控制信号功率电平时。HMC792LP4E采用了无铅的4x4mm QFN封装形式，这种封装方式能够提供较小的寄生效应，有助于保持信号的完整性。此衰减器的输入/输出阻抗匹配设计允许在很宽的频率范围内实现低插入损耗和高功率承受能力。另外，它内置的离片AC接地电容器支持在接近直流的操作，扩大了其应用范围。 HMC792LP4E数字衰减器的控制接口是CMOS/TTL兼容的，能够接受三种控制模式：串行输入、并行字或锁存并行控制。设备提供了用户可选的上电状态功能，以及用于级联其他Hittite串行控制组件的串行输出端口。此外，该衰减器还拥有较低的典型步进误差±0.2dB，这对于精确控制衰减水平至关重要。 典型应用场景涵盖了蜂窝和3G基础设施通信系统，在这些应用中，精确的功率控制是优化信号质量和维持通信质量的关键。对于WiBro/WiMAX/4G等高速无线宽带接入服务，HMC792LP4E能够为数据传输提供有效的功率控制手段。微波无线电与VSAT通信同样需要精确的信号功率控制来确保远程通信的可靠性和效率。测试设备和传感器应用中，数字衰减器可以提供动态范围的调整，以及对测试信号的精确控制。而中频(IF)和射频(RF)应用通常需要在信号链路中根据不同的处理阶段对信号功率进行精细调整，HMC792LP4E便可以胜任这一任务。 对于HMC792LP4E评估板的PCB布局图和材料列表，通常会详细描述如何在实际应用中放置和连接该衰减器，以及必要的外围元件。例如，在使用频率低于700MHz时，建议在电路中增加AC接地电容器C4、C5和C6。而在700MHz以上的频率，即使不使用AC接地电容器，HMC792LP4E的性能也几乎不受影响。 在使用HMC792LP4E时，开发者和工程师需要注意的是，衰减器的使用环境和电路设计将直接影响其性能表现。在设计PCB时，需要确保衰减器的信号路径尽可能短且粗，以最小化传输损耗，并且要避免将衰减器放置在可能受到干扰的位置。此外，正确的电源设计和旁路电容的使用对于保持良好的供电稳定性和低噪声也是至关重要的。 在LabVIEW环境下，可以设计用于控制HMC792LP4E衰减器的程序，进行远程控制和自动化测试。LabVIEW的图形化编程环境允许工程师通过硬件接口，比如串口，进行快速的通信编程，实现对数字衰减器的动态控制。编程时，可以通过发送相应的控制字或控制序列来设置衰减值，以及查询当前的衰减状态和模式等信息。LabVIEW的图形化界面还使得用户在开发过程中能够直观地看到衰减效果和系统反馈，从而快速调试和验证设计。使用LabVIEW这样的工具不仅能够提高设计效率，还能够轻松地集成到更大的测试系统或应用中去。