用Pytorch实现我们的CIFAR10的图像分类 模型有LeNet,AlexNet,VGG,GoogLeNet,ResNet,DenseNet,Efficientnet,MobileNet,MobileNetv2,ResNeXt,Pnasnet,RegNet,SeNet,ShuffleNet,ShuffleNetv2,Preact_ResNet,DPN,DLA 在models中有所有模型的实现,然后在main.py中定义了训练的代码,也可以进行预测我们的结果,除此之外,对所有的模型自己进行了测试,并且对准确率做了一个详细的比较,也可以根据此进行测试和比较训练。 在资源中有全部代码的学习资料,代码所有都可运行,可执行,可复现
2022-05-06 20:05:10 24KB python pytorch 人工智能 图像分类
著名的图片分类数据集,原版的在CSDN已经有很多了,这一个版本的是我将原版的数据集导出成图片格式,同时用json文件来标注图片的类别。 本资源只包含CIFAR-10数据集中的测试集, 训练集链接:https://download.csdn.net/download/sinat_22481983/12232436 压缩包内需要包括png格式的图片源文件及同名的json格式标注文件,可直接导入EasyDL中使用。 关于本数据集的官方介绍,请参见: http://www.cs.toronto.edu/~kriz/cifar.html
2022-05-05 20:14:23 28.12MB CIFAR-10 图像分类 深度学习 EasyDL
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【课程简介】 本课程适合所有需要学习机器学习技术的同学,课件内容制作精细,由浅入深,适合入门或进行知识回顾。 本章为该课程的其中一个章节,如有需要可下载全部课程 全套资源下载地址:https://download.csdn.net/download/qq_27595745/85274948 【全部课程列表】 day01-机器学习概述、特征工程、机器学习算法 共127页.pptx day02-sklearn、knn、朴素贝叶斯、决策树、随机森林 共102页.pptx day03-线性回归、岭回归、逻辑回归、分类、聚类算法 共86页.pptx day04-Tensorflow基础与进阶 共74页.pptx day05-Tensorflow IO操作-队列和线程、文件读取、图片处理 共40页.pptx day06-Tensorflow、人工神经网络、卷积神经网络、图片识别 共65页.pptx day07-CIFAR图像分类 图像识别、分布式会话函数、分布式TensorFlow、推荐系统 共76页.pptx
2022-05-04 12:05:52 20.9MB 人工智能 机器学习 深度学习 推荐系统
卷积神经网络实现图片分类(CIFAR-10) 保真,主页有实验说明文章,可以相互参考
2022-05-02 18:34:55 5KB cnn 分类 综合资源 人工智能
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CIFAR-10数据集的所有图像已全部保存至压缩包内
2022-04-17 12:23:11 48.86MB 分类 人工智能 机器学习 深度学习
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The CIFAR-10 and CIFAR-100 are labeled subsets of the 80 million tiny images dataset. They were collected by Alex Krizhevsky, Vinod Nair, and Geoffrey Hinton. from:http://www.cs.toronto.edu/~kriz/cifar.html 二进制数据集
2022-03-31 15:47:05 161.67MB 数据集
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2.2 电源引脚 2.2.1 去耦电容 需要在每对电源引脚(例如,VDD/VSS 和 AVDD/AVSS) 上使用去耦电容。 使用去耦电容时,需要考虑以下标准: • 电容的类型和电容值 :建议使用参数为0.1 μF (100 nF)、10-20V的电容。该电容应具有低ESR, 谐振频率为 200 MHz 或更高。建议使用陶瓷电容。 • 在印制电路板上的放置:去耦电容应尽可能靠近引 脚。建议将电容与器件放置在电路板的同一层。如 果空间受到限制,可以使用过孔将电容放置在PCB 的另一层,但请确保从引脚到电容的走线长度不超 出 0.25 英寸 (6 毫米)。 • 高频噪声处理:如果电路板遇到高频噪声(频率高 于数十 MHz),则另外添加一个陶瓷电容,与上述 去耦电容并联。第二个电容的电容值可以介于 0.001 μF 至 0.01 μF 之间。请将第二个电容放置在 靠近每个主去耦电容的位置。在高速电路设计中, 需要考虑尽可能靠近电源和接地引脚放置十对这样 的电容(例如, 0.1 μF 电容与 0.001 μF 电容并联 构成一对)。 • 大程度提高性能:对于从电源电路开始的电路板 布线,需要将电源和返回走线先连接到去耦电容, 然后再与器件引脚连接。这可以确保去耦电容是电 源链中的第一个元件。同等重要的是尽可能减小电 容和电源引脚之间的走线长度,从而降低 PCB 走 线电感。 2.2.2 槽路电容 对于电源走线长度超出 6 英寸的电路板,建议对集成电 路(包括单片机)使用槽路电容来提供本地电源。槽路 电容的电容值应根据连接电源与器件的走线电阻和应用 中的器件的 大电流确定。也就是说,选择的槽路电容 需要满足器件的可接受电压骤降要求。典型值的范围为 4.7 μF 至 47 μF。 2.3 主复位(MCLR)引脚 MCLR 引脚提供两种特定的器件功能:器件复位,以及 器件编程和调试。如果 终应用中不需要进行编程和调 试,则只需直接连接 VDD 即可。添加其他元件有助于提 高应用抵抗由于电压骤降导致意外复位的能力。图 2-1 给出了一种典型配置。根据应用的需求,还可以实现其 他电路设计。 在编程和调试过程中,必须考虑到引脚上可能会增加 的电阻和电容。器件编程器和调试器会驱动 MCLR 引 脚。因此,特定电平 (VIH 和 VIL)和快速信号跳变一 定不能受到不利影响。所以,需要根据应用和 PCB 需 求来调整 R1 和 C1 的具体值。例如,在编程和调试操 作期间,建议通过使用跳线将电容 C1 与 MCLR 引脚隔 离(图 2-2)。对于正常的运行时操作,可以将跳线放 回原处。 与 MCLR 引脚关联的所有元件都应放置在距离该引脚 0.25 英寸(6 毫米)的范围内。 图 2-2: MCLR 引脚连接示例 注 1: 建议 R1 ≤ 10 kΩ。建议的起始值为 10 kΩ。请 确保满足 MCLR 引脚 VIH 和 VIL 规范。 2: R2 ≤ 470Ω将限制任何电流从外部电容C流入 MCLR,以避免由于静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)或 电 过 载 (Electrical Overstress,EOS)导致 MCLR 引脚损坏。请 确保满足 MCLR 引脚 VIH 和 VIL 规范。 C1 R2 R1 VDD MCLR PIC18FXXKXXJPDS39977C_CN 第 48 页 初稿  2011 Microchip Technology Inc.
2022-03-20 09:55:07 4.81MB datasheet
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务必记得放在/home/XXX/.keras/datasets/cifar-10-batches-py.tar.gz目录下(linux),或者 用户/.keras/datasets/cifar-10-batches-py.tar.gz(windows)
2022-02-09 14:55:43 162.6MB 深度学习 cifar
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CIFAR-10数据集
2022-01-28 14:04:43 140.06MB CS231N 深度学习 图像处理 斯坦福
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使用matlab语言,在cifar-10数据集上完成了k-means方法的聚类任务,但是效果不是很好,由于使用的是matlab自身所带的函数,可能运行效果与此有关系。先暂定存档,日后想到好的方法再进行改进。
2022-01-19 20:19:08 320.78MB kmeans cifar-10-matlab
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