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PCB过孔的
寄生电容
和电感的计算和使用.doc
在电子设计领域,PCB(Printed Circuit Board)过孔是不可或缺的一部分,它允许不同层间的信号传输。然而,过孔并非理想元件,它存在
寄生电容
和电感,这些参数会影响电路性能,尤其是在高速数字电路设计中。本文将详细讨论PCB过孔的
寄生电容
和电感的计算方法以及如何在设计中有效利用和控制它们。 让我们了解PCB过孔的
寄生电容
。
寄生电容
主要由过孔与周围铺地层的相对位置决定。计算公式为C=1.41εTD1/(D2-D1),其中ε是基板的介电常数,T是PCB板的厚度,D1是过孔焊盘直径,D2是阻焊区直径。例如,一个50mil厚的PCB板,20mil的焊盘直径,10mil的钻孔直径,40mil的阻焊区直径,根据公式计算得到的
寄生电容
大约为0.31pF。此电容会延长信号的上升时间,影响电路速度。设计时,可以通过增大过孔与铺铜区的距离或减小焊盘直径来降低
寄生电容
。 PCB过孔的寄生电感也不能忽视。寄生电感的计算公式为L=5.08h[ln(4h/d)+1],其中L是过孔电感,h是过孔长度,d是中心钻孔直径。例如,同样条件下的过孔,其电感约为1.015nH。若信号上升时间为1ns,其等效阻抗将达到3.19Ω,这对高频电流的影响不容忽视,特别是在电源和地线通过两个过孔时,电感会成倍增加。 针对过孔的寄生效应,设计师应采取以下策略: 1. 根据成本和信号质量需求选择合适的过孔尺寸。电源和地线通常选用较大的过孔以减小阻抗,信号线则可选择较小的过孔。 2. 使用较薄的PCB板可以降低寄生参数,但成本可能会增加。 3. 尽可能让信号在同一层内走线,减少过孔使用。 4. 在信号换层的过孔附近添加接地过孔,提供最近的回路,也可以额外放置一些接地过孔。 5. 电源和地的过孔应尽可能靠近元器件管脚,且连线要短,可以并联多个过孔来减少等效电感。 6. 高密度高速PCB设计中,可以考虑使用微型过孔来减小寄生效应。 理解并控制PCB过孔的
寄生电容
和电感是优化高速PCB设计的关键。通过精确计算和合理布局,可以显著提升电路的性能和稳定性。
2025-03-28 18:12:01
22KB
PCB寄生
1
mos管
寄生电容
是什么看了就知道
寄生电容
是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。 ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频情况下要考虑到等效电容值,电感值。 我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边,如图所示,由于MOS管背部存在
寄生电容
,这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。 故此,如果MOS的开关速度很快的情况下,建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的
寄生电容
的影响。 如图所
2023-03-09 23:42:33
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mos管寄生电容是什么看了就知道
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MOSFET
寄生电容
对LLC串联谐振电路ZVS的影响
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件: 1)上下开关管50%占空比,1800对称的驱动电压波形; 2)感性谐振腔并有足够的感性电流; 3)要有足够的死区时间维持ZVS。 图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于感性负载下,电流相位上会超前电压,因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区,谐振电感上的谐振电流必须足够大,以确保MOSFET源漏间等效的
寄生电容
2023-03-08 16:17:46
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MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响
1
确定HEMT
寄生电容
的新方法
本文提出了一种新的直接提取方法,用于确定HEMT的
寄生电容
。 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取
寄生电容
C-pg,C-pd和C-pdg。 对于2 x 20 m浇口宽度HEMT(浇口指的数量x单位浇口宽度),在建模结果和测量结果之间取得了良好的一致性。
2022-11-21 10:48:48
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Cold
FET;
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2022-03-12 14:02:05
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高速PCB
过孔
寄生电容
反焊盘
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Maxwell提取变压器阻抗 参数和
寄生电容
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平面磁件的设计和分析可以通过部件和系统仿真来解决 ➢ 简单的建模方法有助于在系统中反应真实的组件 ➢ 利用ANSYS多物理仿真技术可以有效地解决热管理问题 ➢ 基于温度的仿真可以准确地预测系统在真实环境下的性能
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寄生电容
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