只为小站
首页
域名查询
文件下载
登录
基于
SOI
的2×2 MMI耦合器的设计
设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(
SOI
)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形,多模干涉区尺寸为6 μm×57 μm。在TE偏振中心波长为1.55 μm时,器件附加损耗为0.46 dB,不均匀性为0.06 dB。在1.49~1.59 μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55 dB。仿真结果表明所设计的2×2 MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀,符合片上集成系统的要求。
2023-03-21 15:54:43
3.73MB
光学器件
多模干涉
耦合器
绝缘体上
1
SOI
光开关阵列的比较
SOI
光开关阵列的比较,邢斌,郭丽君,对于每年越来越多带宽的增加,全光网络是唯一用来提供所需的巨大带宽对于未来的方法。光开关是光网络中的基本元素,本文主要对ban
2022-12-25 12:12:31
660KB
首发论文
1
基于
SOI
CMOS 工艺的LDO 电路设计.pdf
设计了一种1. 8 ~ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶
2022-09-29 16:41:47
694KB
LabVIEW
1
SOI
工艺技术 课件.ppt
SOI
工艺技术
2022-05-25 14:06:04
7.76MB
文档资料
SOI工艺技术
SST与
soi
作回归MATLAB
1951年到2000年一月的SST与
soi
指数作回归,MATLAB代码
2022-05-24 17:25:48
750B
MATLAB
1
论文研究 - 改进
SOI
SiGe异质结双极晶体管结构的应变工程设计与仿真。
为了改善SiGe异质结双极晶体管(HBT)的电学和频率特性,本文设计了一种新颖的
SOI
SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的
SOI
SiGe HBT相比,该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下,集电极区,基极区和发射极区均发生应变,这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具,数值模拟结果表明,在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA,β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时,V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的
SOI
SiGe HBT相比,提出的
SOI
SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9%。
2022-05-12 14:49:16
866KB
行业研究
1
深亚微米
SOI
工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟
为了研究深亚微米
SOI
工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13 μm
SOI
工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108~1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。
2022-03-24 15:22:11
317KB
瞬时剂量率效应
1
场板
SOI
RESURF LDMOS表面势场分布解析模型
以往对
SOI
器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板
SOI
RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。
2022-03-22 15:56:00
745KB
场板;
表面电场降低;
绝缘体上硅;
解析模型
1
N+多晶硅栅薄膜全耗尽
SOI
CMOS器件与电路的研究 (2004年)
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽
SOI
CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽
SOI
CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3V时,1.2μm 101级环振的单级延迟仅为50.5ps。
2022-01-05 20:58:41
158KB
工程技术
论文
1
SOI
的发展和特点
绝缘体上硅(
SOI
)技术已有30多年的历史,它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(SOS)。
SOI
技术的发展可以分为3个阶段[27~29]:第一阶段是在20世纪60年代,蓝宝石上异质外延硅(SOS)技术制备
SOI
材料,用于开发微处理器电路;第二阶段出现在20世纪80年代初期,提出了在硅衬底上离子注入氧原子,再经过高温退火使氧与硅原子发生反应生成一层SiO2,SiO2上面是一层很薄的硅层,这就是注氧隔离技术(SIMOX), 主要开发了作为抗辐射器件的SRAM;第三阶段在20世纪80年代中期,提出了键合
SOI
技术,这一技术一直延伸发展到目前。由于
SOI
材料具有高压、抗辐射、低泄漏和寄生效应
2021-11-10 09:49:52
43KB
SOI的发展和特点
其它
1
个人信息
点我去登录
购买积分
下载历史
恢复订单
热门下载
粒子群多无人机协同多任务分配.zip
多智能体的编队控制matlab程序(自己编写的,可以运行)
(推荐)小爱触屏音箱LX04_2.34.5-官改-(开发版)SP5
MAC OS.X.10.8.iso 镜像文件
2020年数模国赛A题论文(省一等奖)和代码.rar
ios无人直播 虚拟视频实用版 可以导入视频
elsevier 爱思唯尔 系列期刊的word模板,template,单栏,双栏
基于S函数的BP神经网络PID控制器及Simulink仿真和对应代码模型.zip
故障诊断数据集及实现代码
模型预测控制MPC(模型预测电流控制,MPCC)的simulink仿真,2016b版本
2022学术英语写作(东南大学) 章节测试+期末test答案
CNN卷积神经网络Matlab实现
基于LSTM模型的股票预测模型_python
科研伦理与学术规范 期末考试2 (40题).pdf
transformer_pytorch_inCV.rar
最新下载
TI毫米波雷达开发-6843 High Accuracy Demo 串口数据接收及TLV协议解析 matlab 源码
基于COMSOL Multiphysics 的几何光学资料
YOLOV8 安全帽佩戴检测(含训练好的模型和训练集)
Java外卖点餐系统 word文档
SAP日常运维BASIS
小米妙享MIUI+小米系列手机连接任意品牌电脑-MIUI+直接通过里里面的电脑管家上下载安装
华为认证HCIP实验指导书HCIP-IERS V2.5.pdf
用于PDF翻译的PDF翻译神器
KSZ9131RNX中文数据手册.pdf
RD_FMCW.zip
其他资源
基于遗传算法GA的PID参数自整定程序源代码
使用QT官方库的mqtt客户端
JAVA办公管理系统(OA)
基于51单片机无线温度控制系统设计nRF24L01(包含原理图源程序)
OGRE学习全攻略(包括中文资料,教程,脚本手册等)
蚁群算法原理及其应用(完整版).pdf
ssm登录注册增删改查
Navicat15安装包.zip
信号去噪Matlab实现
javaWeb图书管理系统
计算机网络校园网课程设计
JAVA学生成绩管理系统源代码
人工智能行业:人工智能之人机交互.pdf
5-mysql备份与恢复.docx
JSP+SQL水费管理系统
Docker中安装RabbitMQ.pdf
markdown-preview.nvim:(neo)vim的markdown预览插件-源码
Impala:简单,可扩展的字节码解释器-源码
DXperienceUniversal 9.3.3 part2(2010年2月1日版本)
stm32f103c8t6增强版原理图
加权voronoi图
模糊控制及其MATLAB仿真
网络安全企业服务商业计划书
flash AS3.0 打飞机游戏
oracle_11g_client_win32