LPDDR4测试板 版权所有(c) 概述 该存储库包含针对围绕Xilinx Kintex-7 FPGA构建的实验平台的开放硬件设计文件。 该平台的主要目的是开发和定制支持LPDDR4 IC的RAM控制器。 设计文件是在KiCad中准备的。 该设计现在是进行中的作品。 储存库结构 主存储库目录包含KiCad PCB项目文件,许可证和自述文件。 其余文件存储在以下目录中: lib包含组件库 img包含本自述文件的图形 主要特点 Kintex-7 FPGA-XC7K70T-FBG484 带有定制DDR4 SO-DIMM连接器的模块化设计 HDMI输出连接器 带有1GbE收发器的以太网RJ45连接器 带有FT4232HQ FTDI USB控制器的Micro USB调试连接器 JTAG microSD卡插槽 QSPI闪存 外部7-12V电源输入 5个用户LED 4个用户按钮 框图 执照
2024-10-22 11:13:08 9.59MB
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根据提供的文件信息,我们可以提炼出以下知识点: 1. MT40A2G4、MT40A1G8、MT40A512M16是镁光(Micron)公司生产的不同容量的DDR4 SDRAM存储器芯片型号。 - MT40A2G4表示有2GB容量,数据宽度为4位。 - MT40A1G8表示有1GB容量,数据宽度为8位。 - MT40A512M16表示有512MB容量,数据宽度为16位。 2. DDR4 SDRAM代表第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器,是目前较为先进的内存技术。 3. 核心电压(VDD)、VDDQ均提供1.2V±60mV的电压要求,而VPP为2.5V的内部驱动电压。 4. 采用1.2V伪开路漏极(pseudo open-drain)I/O接口,以降低功耗。 5. 提供16个内部存储体组(x4, x8)或8个内部存储体组(x16),组内有4个存储体。 6. 采用8n位预取架构,即8个数据位为一组进行预取,以提高数据处理速度。 7. 可编程数据预取指引,用于优化数据的时序和效率。 8. 支持数据预取指引训练,以提升信号的稳定性。 9. 拥有命令/地址延迟(Command/Address Latency,CAL)功能,允许灵活的时序设计。 10. 具备多用途寄存器读写能力,允许通过寄存器进行读写操作。 11. 支持写平衡(Write Leveling),保证数据的稳定写入。 12. 自我刷新模式(Self Refresh Mode)能够使DRAM在无系统时钟情况下保持数据。 13. 低功耗自动自我刷新(Low-power Auto Self Refresh, LPASR)功能,用于降低工作电流。 14. 温度控制刷新(Temperature Controlled Refresh, TCR)机制,根据温度变化自动调节刷新频率。 15. 细粒度刷新功能,提供灵活的控制以优化刷新周期。 16. 支持自刷新中断功能。 17. 实现最大化的电源节省。 18. 输出驱动器校准,以确保信号的稳定性和准确性。 19. 有标准、停车和动态的ODT(On-Die Termination,片上终结)功能。 20. 支持数据总线反转(Databus Inversion, DBI)技术,以减少功耗和电磁干扰。 21. 支持命令/地址(CA)校验功能,以增强数据传输的可靠性。 22. 数据总线写循环冗余校验(CRC)功能,用于检测数据在写入过程中的错误。 23. 拥有每颗DRAM的地址功能,便于模块化或定制设计。 24. 支持连接测试,以确保内存的正常连接和性能。 25. 符合JEDEC JESD-79-4标准,为行业广泛认可的内存技术规范。 26. 提供sPPR( Serial Presence Detect Partial Register)和hPPR(High Temperature Partial Register)功能。 27. 关键时序参数包括不同的循环时间(Cycle Time),以及对应的命令延迟(CL),行地址到列地址延迟(tRCD)和行预充电延迟(tRP)。 28. 操作温度分为商业级、工业级和汽车级,分别对应不同的温度范围。 29. 频率等级和时序等级的不同组合提供了多种性能选项,如3200MT/s @ CL=22,2933MT/s @ CL=21等。 30. 封装形式包括78球FBGA和96球FBGA,均有无铅(Pb-free)设计,并提供不同尺寸版本以适应不同应用场景。 31. 数据手册中列出了不同标记和版本号,以区分不同批次和制造细节,方便用户查询和采购。 通过以上信息,我们可以了解到镁光DDR4 SDRAM的技术参数、性能特点、操作环境以及型号识别等方面的知识,这些信息对于设计、生产和采购相关内存产品都具有很高的参考价值。
2024-10-14 16:28:41 17.8MB
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SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种同步动态随机存取存储器,它在现代计算机和嵌入式系统中广泛用作主内存。SDRAM的设计是基于时钟同步的,这意味着所有数据传输和地址访问都与系统时钟同步进行,从而提供了更高的数据速率和性能。 在Verilog中,SDRAM的实现涉及对硬件描述语言的理解,特别是如何描述数字逻辑电路。Verilog是一种用于设计集成电路的硬件描述语言,它可以用来描述从简单的逻辑门到复杂的微处理器的任何层次的数字系统。 在"SDRAM verilog.rar"这个压缩包中,我们可以推断包含的是一个Verilog代码库,用于描述SDRAM控制器和相关的接口逻辑。下面将详细解释SDRAM控制器的一些关键组件和设计考虑: 1. **时钟管理**:SDRAM的操作依赖于多个时钟信号,包括系统时钟、内部的行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE)信号。这些时钟通常需要通过DLL(Delay Locked Loop)或PLL(Phase-Locked Loop)来产生和同步。 2. **地址总线**:SDRAM的地址分为行地址和列地址,它们分别控制行缓冲区和列缓冲区的选择。Verilog代码中需要处理这些地址的生成和转换,确保正确地选择存储单元。 3. **命令序列**:读写操作前,需要发送命令序列,如预充电(PRECHARGE)、激活(ACTIVATE)、读/写(READ/WRITE)。Verilog模型需要正确地生成和时序控制这些命令。 4. **数据总线**:SDRAM的数据总线通常双向,用于读取和写入数据。控制器需要处理数据的同步、校验和错误恢复。 5. **刷新管理**:SDRAM需要定期刷新以保持其存储状态,这通常每几百毫秒发生一次。Verilog模型必须包含刷新逻辑,并确保刷新操作不会中断正常的数据传输。 6. ** burst模式**:为了提高效率,SDRAM支持突发传输,即连续读写相同地址附近的多个数据。设计者需要在Verilog代码中实现这种模式。 7. **接口设计**:SDRAM通常通过一个专用的接口与CPU连接,例如,它可能有独立的地址、数据和控制线。Verilog代码需要定义这些接口,并处理它们之间的交互。 8. **模拟与测试**:为了验证SDRAM控制器的功能,还需要编写测试平台,模拟各种操作场景,如不同大小的读写操作,以及在各种时序条件下检查其行为。 这个压缩包中的"verilog"文件可能是实现以上功能的源代码文件。学习和理解这段代码可以帮助开发者深入了解SDRAM的工作原理,并能够为特定应用设计自定义的SDRAM控制器。不过,实际应用中还需要考虑功耗、时序约束、兼容性等其他因素。对于嵌入式系统设计师来说,掌握SDRAM的Verilog实现是一项重要的技能。
2024-08-30 18:52:30 291KB SDRAM CPU verilog
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SD_RAM_VIDEO 特征: DVI输出分辨率为960x540,每像素8位(调色板模式)。 简单的SDRAM控制器,具有用于视频的Reading Burst端口和用于CPU的Read / Write慢速端口。 SD卡读卡器非常简单,可以在启动时加载SDRAM
2024-04-01 21:46:11 678KB Verilog
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通过ov5640拍摄图像,存储与sdram,再从sdram种读取并显示
2024-02-29 21:40:42 8.79MB
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基于野火F429挑战者的LVGL 8.2移植,利用了DMA2D加速,同时缓冲区在外部SDRAM,开启Layer1和Layer2,可在一个图层用于LVGL,另外一个图层做点其他东西,比如在图层2加入摄像头功能或者是jpeg图片二维码什么的,图层2绘图需要自己实现,该程序仅完成到可用
2023-12-12 21:02:01 11.41MB stm32 lvgl dma2d
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2023-07-06 09:27:09 1.9MB JEDEC DDR4 SDRAM
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DDR SDRAM控制器的设计与实现,王治法,张刚,目前,DDR SDRAM凭着其较低的成本和双倍的数据速率,已经成为存储设备的首选。本文用Xilinx 公司的Virtex 2 FPGA 芯片设计实现了一个DDR 控
2023-07-03 23:43:12 312KB DDR SDRAM
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JEDEC DDR3 standard for your reference
2023-06-28 11:15:25 4.92MB JEDEC DDR3
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DDR2 SDRAM 操作时序规范,总共47页,主要讲了如何上电初始化,模式寄存器的设置,以及怎样读写操作。
2023-06-26 09:53:52 2.08MB DDR2 SDRAM
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