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在半导体中，可以通过将一种半导体材料（例如 InGaAs）的“阱”层夹在另一种半导体材料（例如 InP）的两个“势垒”层之间来制造实际的势阱。 在这种结构中，电子在“阱”材料中具有较低的能量，并且在与“势垒”材料的界面处看到一些势垒高度 Vo。 这种结构广泛用于光纤通信等激光器中。 在半导体中，这种势阱被称为“量子阱”。(*) 此 m 文件 (GaAs_QW) 计算具有恒定有效质量与不同阱宽的 GaAs 单量子阱中的能级。 它还绘制了给定势能和阱宽的相应特征函数。 （*） 大卫。 AB Miller，科学家和工程师的量子力学。 剑桥。 博士生。 埃内斯托·莫莫克斯（Ernesto Momox） 享受！