具有光耦隔离的PMOS驱动电路， 这个电路加入了一个三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷，可以大大缩短MOS的关断时间。其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极，三极管的b极经R10连接电源为高电平，所以三极管Q2导通，Cgs寄生电容的电荷经Q2---R4快速放电，同时也经R2进行放电，迅速消耗Cgs寄生电容的电荷，减少MOS的关断时间，提高MOS的开关频率。

使用软件：LTspice LDO（Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器）是一种线性稳压器，它能够在输入电压与输出电压之间仅有很小的压差（dropout voltage）时仍然能够保持输出电压的稳定。 LDO内部电路主要由基准电压源（Reference Voltage Source）、误差放大器（Error Amplifier）、功率调整元件（Power Adjustment Element）和分压取样电路（Voltage Divider and Sampling Circuit）组成，使用LTspice进行LDO搭建。

To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit 2U SCNAMEMS工艺；对于N/PMOS管进行DRC和LVS的DRC步骤与方法

首先对自己的应用背景做一下说明，我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电，所以要做一个电子开关，这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管，但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。

PMOS管衬底选择电路.zip

N+P沟道增强型场效应管

MOS管工作原理详细讲解，NMOS管、PMOS管选型