PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。PNP输出是高电平1，NPN输出的是低电平0。

常用三极管电路设计及NPN电路Multisim10仿真电路及截图。可以做芯片的电源控制进行使用。

三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定

npn的silvaco仿真

本文主要讲了一下关于接近开关PNP与NPN的区别，希望对你的学习有所帮助。

简单介绍PNP NPN接近开关区别，加深对PNP NPN接近开关的判断，能更好的区别此类型的接近开关

NPN脉冲信号输出原理简要关系.

电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。       安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时，该器件可提供4

平面型(NPN)三极管制作工艺 　　在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。 　　合金型三极管制作工艺：在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。 N c SiO2 b 硼杂质扩散 e 磷杂质扩散 磷杂质扩散 磷杂质扩散 硼杂质扩散 硼杂质扩散 P N

NPN和PNP输出电路和PLC输入模块的连接