We demonstrate the possibility of post-fabrication trimming of the response of nitrogen-rich silicon nitride racetrack resonators by using an ultraviolet laser. The results revealed the possibility to efficiently tune the operating wavelength of fabricated racetrack resonators to any point within the full free spectral range. This process is much faster than similar, previously presented methods (in the order of seconds, compared to hours). This technique can also be applied to accurately trim t

反应溅射氮化铁纳米晶薄膜的霍耳效应，米文博，封秀平，采用反应溅射法制备氮化铁纳米晶薄膜。随着氮气流量的增加，薄膜中的主要相从α-Fe(N)转变为ξ-Fe2N，导电机制也从金属性向半导体特性

Training Material of SiN process；氮化硅；Nitride；LPCVD工艺，半导体技术

Spray-assisted assembled spherical boron nitride as fillers

详细讲述氮化镓电子技术，建模，功率管模型，MMIC等

具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。 在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。 根据我们的计算，我们发现Pbca- BN的体积模量为344 GPa，剪切模量为316 GPa，大的德拜温度为1734 K， 较小的位置比率0.14和60.1 GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料： 潜在的技术和工业应用。 我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399 eV的绝缘体。