提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围，应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真，结果表明，在1.2 V的工作电压下，具有76 dB的增益，控制电压范围超过0.8 V，带宽范围从34 MHz到183.6 MHz，功耗为0.82 mW。

线性函数的分类的一个缺点就是只能做线性分割，因为线性函数(y=kx+b)之间无论怎么做线性组合，最后得到的还是线性函数y=kx+b，这样就不能完成类似异或问题这样的非线性分割。 那么怎么做非线性分割呢，其实中学中我们已经学过了二次曲线，二次曲线之所以能画出一个封闭的曲线，就是因为它的非线性，一方面是因为它的导数不是常数，另外一个方面，它的单调性也不是唯一的，也就是有曲线的拐点，这样就可以让曲线拐弯，最后和起点汇合形成封闭曲线。 我们观察最基本的圆方程： x^2 + y^2=1 我们如果引入函数f(t)=t^2，稍微改写一下这个式子，就可以得到： f(x)+f(y)=1 在这里，我们选择的函数是

Activity及Fragment之间的跳转 直接跳转 基本使用方法 public class MainActivity extends AppCompatActivity { @Override protected void onCreate(Bundle savedInstanceState) { super.onCreate(savedInstanceState); setContentView(R.layout.activity_main); } public void jump(View view) { Intent intent = new

A Basic Introduction to the gm ID-Based Design Methodology

第一种：分开来画 import matplotlib.pyplot as plt import numpy as np plt.rcParams['axes.unicode_minus'] = False def sigmoid(x): return 1.0/(1.0+np.exp(-x)) def tanh(x): return (np.exp(x) - np.exp(-x))/(np.exp(x)+np.exp(-x)) x = np.linspace(-8,8) fig = plt.figure(figsize = (12,4)) ax1 = plt.subplot(12

Gm/id的基本设计理念，辅助设计运放带宽和mos宽长比选取。

适合刚刚学习运放设计的小白。

gm/id法设计模拟电路 以二级密勒补偿的OTA设计为实例 本文详细介绍由Jespers所提出的gm/id法设计模拟电路，并以一个二级密勒补偿的OTA运放设计作为实例介绍。

通过EE214等资料的学习，我们都会觉得gm/id设计方法十分方便直观有效率，但是对于众多使用Cadence作为设计工具的初学者们，Id/w~gm/Id，fT~gm/Id这些设计需要查用的特征曲线怎样得到确实一头雾水。本人也是刚刚涉及模拟IC的设计，对于Cadence的使用也是相当不咋地，但是该设计方法确实诱人，所以找了一些资料，学习了这些曲线的绘制方法，写出来和大家分享，热烈欢迎批评指正，另外，本文的前半部分主要是对一文献的翻译（参考文献排名第一是也），后半部分为原创。