反应溅射氮化铁纳米晶薄膜的霍耳效应，米文博，封秀平，采用反应溅射法制备氮化铁纳米晶薄膜。随着氮气流量的增加，薄膜中的主要相从α-Fe(N)转变为ξ-Fe2N，导电机制也从金属性向半导体特性

GdFeCo薄膜中fs激光诱导的反常磁滞回线起源研究，徐初东，陈志峰，本实验设计了可控泵浦脉冲数磁光Kerr探测技术初始化磁场扫描相结合的方法用于消除外磁场磁化历史产生的记忆效应以及连续脉冲激发�

纤维素酯及膜的制备与表征，王志国，周艳丹，该研究中，用辛酰氯（长链脂肪酸）酯化溶解在氯化锂/ N，N-二甲基乙酰胺（LiCl / DMAc）中的纤维素，核磁共振分析表明纤维素在该体系�

导出了平面波在双折射介质表面的反射系数和透射系数公式。并发展了一种计算多层膜系统(其中若干膜层或基底是双折射材料)反射率随表面极坐标分布的公式和数值方法。

狡猾的电影 在该存储库中开发了foxy-films应用程序

Electron conducting Ag 2 Te nanowirepolymer thermoelectric thin films.pdf

Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25Nd0.75Ti3O12（BNT）薄膜使用脉冲激光沉积技术沉积在Pt / Ti / SiO2 / Si（100）衬底上。 通过原子力显微镜（AFM）和压电力显微镜（PFM）研究了表面形貌，铁电畴结构和极化转换。 PFM的相位和幅值图像表明BIT和BNT薄膜具有清晰的畴结构。 表面形态和畴结构的比较表明，晶界限制了畴的形状并影响了畴结构。 微机电性能由薄膜的有效压电系数d33，f表征。 结果表明，BNT薄膜的最大有效d33，f值（100 pm / V）大于BIT薄膜的最大有效d33，f值（30 pm / V）。 这可以归因于具有优选的a轴生长方向的BNT薄膜，从而导致d33，f的有效增强。 此外，所有薄膜均显示出良好的光学透射率。在500–800 nm的范围内，由于Nd掺杂，带隙从3.43 eV增加到3.52 eV。