对于从事微电子，材料等专业，会用到电子束蒸发的研究者，写一个我的操作文档

FLUENT-VOF-蒸发-冷凝-UDF库 用于在ANSYS-FLUENT中使用VOF模型对蒸发和冷凝进行建模的UDF库 该用户定义的子例程库被写入（a）在正交解域中跟踪两相单元，并且（b）使用修改后的VOF模型在两相界面中模拟相变现象，例如蒸发/冷凝。 读者可以参考“ J. Heat”，“ Agarwal，DK，Welch，SWJ，Biswas，G.和Durst，F.2004。使用VOF方法的变种在近临界水中沸腾的薄膜中气泡生长的平面模拟”。转移，第126页，第1-11页，“以了解该代码中使用的子例程。如果您使用此代码，请引用本文，如果需要任何有关此代码的说明，请通过与我联系。 注意：1）。 这是与几何尺寸相关的代码，2）。 它仅适用于2D模拟。 3）。 该代码中使用的属性是以上引用的论文中提到的属性。 PS：大多数子例程在代码本身中进行了解释。 最好的祝愿： Bharat Bh

这项工作首先证明了基于电子束蒸发二氧化f（HfO2）的无杂质空位扩散（IFVD）诱导的量子阱混合（QWI）。 红光二极管激光晶片具有两个6纳米厚的GaInP量子阱和三个8纳米厚的AlGaInP量子势垒的有源区。 在200℃下在二极管激光晶片的表面上蒸发出135nm厚的HfO 2膜。 QWI过程是通过在不同温度下快速热退火（RTA）20 s引起的。 发现活性区域发射波长的强度和半峰全宽（FWHM）分别随着退火温度的升高而增加和降低。 当样品在1000°C退火时，HfO2 IFVD诱导的QWI发现蓝移为18 nm。 此外，基于活性区域中的浓度分布来计算扩散长度和扩散系数，并且扩散系数值高于Zn杂质扩散诱导的QWI中的结果。