提出了一种超结(SJ)VDMOS,其沟槽栅极下方具有高k(HK)介电柱,并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度,从而降低了比导通电阻(Ron,sp),而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下,HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度,从而提高了击穿电压(BV)。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱,以进一步降低Ron,sp。 与传统的SJ VDMOS相比,R on,sp降低了42%,BV增加了15%。
2024-05-28 15:16:19 649KB Charge Dielectric Doping
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2023-12-21 19:02:35 303KB matlab
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charge cap型单电感多输出DC-DC simulink仿真,里面包含了这个SIMO DCDC的建模
2023-03-15 20:04:14 38KB DC-DC simulink仿真 SIMO
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2022-07-20 18:54:49 9.38MB
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2022-05-25 10:48:14 269KB A Dynamic Analysis of
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2022-01-07 08:51:33 776KB soap websockets ocpp Java
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SimCampEl(C版) 一个简单的2D电场和电荷模拟器,用C编写,使用GTK表示UI,使用Cairo表示。 编译中 只需使用任何支持GTK的C编译器进行编译。 警告和警告 这是我们第一门编程课程的最终项目,因此UI和注释均使用葡萄牙语。 也许有一天我们会更新它们。
2021-12-11 23:34:38 24KB c gtk electric-field electric-charge
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Charge pump circuit design
2021-12-10 17:13:11 13.55MB Charge pump circuit design
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等离激远结构仿真电流电荷密度,FDTD软件使用
2021-11-27 17:33:00 139KB fdtd 电流电荷密度 电流密度