摘　要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。 　　1 引言 　　功率金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、

CollMOS设计技术资料CoolMOS与VDMOS的差异优缺点及参数及选用等资料 600V-CoolMOS优化设计.pdf Cool-MOSFET与的其他MOSFET的区别.doc Cool-MOS的优缺点.docx CoolMOS与VDMOS的差异.pptx CoolMOS与VDMOS的通态电阻比较.pdf COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议-电源网.pdf CoolMOS的主要参数及选用.pdf Coolmos的选择与优势.docx VDMOS-详细培训教案.ppt

摘　要：分析了功率MOSFET 额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。 　　1 引言 　　功率金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、智能

VDmostool软件是一款LTspice中MOS建模软件。它可以从MOS数据手册创建板级mosfet模型，该模型只能在LTspice中使用。 这是因为它利用了称为VDMOS的新mosfet模型，并且仅在LTspice中可用。 该设备替代了子电路模型，子电路模型通常不起作用，即使可以工作，也会因模拟运行太慢而无法完全使用。 LTspice中的VDmos模型不是子电路，而是使用模型语句的新的内置设备模型。 进行了一些改进，从而使模拟运行更快。