设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构，理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3，Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ，器件的台面面积小于176 μm2 时，探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64，比普通结构提高了30 倍，同时器件的带宽达到40 GHz。
2023-03-04 23:58:56
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报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻槽工序实现了高质量、无裂纹的GaAs基外延层。制备的集成器件, 在波长1573.2 nm处, 获得了1.1 nm的光谱线宽以及9%的量子效率, 其中吸收层厚度为300 nm。
2021-02-10 12:03:38
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Si基相控阵技术的相关进展一文参考原文献《 The More (Antennas), the Merrier A Survey of Silicon-Based mm-Wave Phased Arrays Using Multi-IC Scaling》
2021-01-28 01:22:12
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