基于Actel FPGA的双端口RAM设计--周立功单片机

华中科技大学计算机组成原理实验报告（完整）+代码参考 ---自己写的 报告写好，代码是自己写的 1.学生理解主存地址基本概念，理解存储位扩展基本思想 2.能利用相关原理构建能同时支持字节、半字、字访问的存储子系统。

本资源是作者在校期间的8086大作业，仅供学习使用，参考书籍为《微机原理与接口技术（第二版）》楼顺天版，请不要用于抄袭，诚实无价。该资源与作者博客同步更新。

quartus ii的双端口RAM实现。双口RAM分伪双口RAM（Xilinx称为Simple two-dual RAM）与双口RAM（Xilinx称为true two-dual RAM），伪双口RAM，一个端口只读，另一个端口只写，且写入和读取的时钟可以不同，位宽比可以不是1:1；而双口RAM两个端口都分别带有读写端口，可以在没有干扰的情况下进行读写，彼此互不干扰0；

Logisim 中 RAM 组件只能提供固定的地址位宽，数据输出也只能提供固定的数据位宽，访问时无法同时支持字节/半字/字三种访问模式，实验要求利用4个8位的 RAM 组件进行扩展，设计完成既能按照8位、也能按16位、也能按照32位进行读写访问的32位存储器，最终存储器引脚

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FPGA跨时钟域双口RAM设计,Vivado仿真工程

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LPM_ROM和LPM_RAM设计 一 实验目的 掌握FPGA中LPM_ROM的设置： 1 作为只读寄存器ROM的工作特性和配置方法； 2 学习将程序代码或数据以MIF格式文件加载于LPM_ROM中； 掌握lpm_ram_dp的参数设置和使用方法： 1 掌握lpm_ram_dp作为随即存储器RAM的设置； 2 掌握lpm_ram_dp的工作特性和读写方法； 3 掌握lpm_ram_dp的仿真测试方法。 二 实验要求 1 LPM_ROM定制和测试 LPM_ROM的参数设置： LPM_ROM中数据的写入，即初始化文件的编写； LPM_ROM的实际应用，在GW48实验台上用N0.0电路模式测试。 2 LPM_RAM定制和测试 LPM_RAM的参数设置； LPM_RAM的实际应用，在GW48实验台上用N0.0电路模式测试。 三 实验原理 用户可编程硬件FPGA芯片设计，有许多可调用参数化库模块LPM（Library Parameterized Modules）,课直接调用设置，利用嵌入式阵列块EAB（Embed Array Block）构成lpm_ROM，lpm_RAM等各种存储器结构。 Lpm_ROM有5组信号： 地执信号address[]； 数据信号q[]; 时钟信号inclock、outclock; 允许信号memenable. 其参数是可以设定的。由于ROM是只读寄存器，它的数据口试单向的输出端口，数据是在对FPGA现场配置时，通过配置文件一起写入存储单元的。 Lpm_ram_dq的输入/输出信号如下： 地址信号 address[]; RAM_dqo的存储单元地址； 数据输入信号DATA[] RAM_dqo的数据输入端； 数据输出信号Q[]； RAM_dqo的数据输出端； 时钟信号CLK; 读/写时钟脉冲信号； 读写信号W/R 读/写控制信号端 数据从总线端口DATA[]输入。丹输入数据和地址准备好以后，由于在inclock上的信号是地址锁存时钟，当信号上升沿到来时，地址被锁存，于是数据被写入存储单元。数据的读出控制是从A[]输入存储单元地址，在CLK信号上升沿到来时，该单元数据从Q[]输出。W/R为读/写控制端，低电平时进行读操作，高电平时进行写操作； 四 实验步骤