为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接着淀积500 nm厚的n￣Al0.5Ga0.5N层，然后生长本征层1.Al 0.4Ga 0.6N。本