CMOS开关管的工作原理，N沟道MOS管和P沟道MOS管的区别。

目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型 电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论 以帮助用户选择适合应用的 MOSFET 驱动器。 电机和 MOSFET 驱动器之间的电桥通常由功率晶体管 组成，如双极型晶体管、MOSFET 或绝缘栅双极型晶体 管 （Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）。在一 些小型无刷直流电机或步进电机应用中，MOSFET驱动 器可用来直接驱动电机。不过，在本应用笔记中，我们 需要的电压和功率较 MOSFET 驱动器所能提供的要高 一些。 电机速度控制的目的是对电机速度、转向或电机转轴的 位置进行控制。这需要

本文报道新结构的三段混合式模截止强度调制器能够耦合入较高光功率,出现了可观测的光损伤现象。在设计由Ti扩散波导构成的导波器件时,不仅需要考虑器件的电特性,也要考虑器件传输光功率的能力。

基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路、电子技术,开发板制作交流

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2.8 有效沟道长度与沟道宽度 在所有的模型表达式中，有效沟道长度和有效沟道宽度由以下公式给出： 2eff drawnL L dL= − （2.8.1） 2eff drawnW W dW= − （2.8.2a） ' 2eff drawnW W dW= − ' （2.8.2b） 公式（2.8.2a）和公式（2.8.2b）的唯一区别是前者包含了偏压的影响。参数 dW 和 dL 采 用如下公式进行建模： ' ' ( )g gsteff b s bseff s l w wl int Wln Wwn Wln Wwn dW dW dW V dW V W W W dW W L W L W φ φ= + + − − = + + + （2.8.3） l w wl int Lln Lwn Lln Lwn L L L dL L L W L W = + + + （2.8.4） 下面对以上复杂的公式进行一些解释。根据公式（2.8.3），变量Wint代表了传统方式提取 “delta W”所得的值，亦即，1/Rds vs. Wdrawn曲线的截距。增加参数dWg和dWb是为了考虑前栅 和背衬底偏压效应的贡献。对于dL，参数Lint代表了传统方式提取“delta L”所得的值（Rds vs. Ldrawn曲线的截距）。 dW 和 dL 中余下的项是为了用户使用方便。这意味着允许用户将每一个参数建模为 W(drawn)、L(drawn)以及二者乘积项 WL 的函数。另外，BSIM3v3 的用户还可以建模为更复杂 的形式，以及，不是简单地与 W 和 L 成反比。对于 dW，可使用参数 Wln 和 Wwn。对于 dL， 可使用参数 Lln 和 Lwn。 第 22 页

（2）N沟道增强型MOS管的工作原理 如图1.47所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。

本文主要讲了N沟道增强型MOS管结构示意图，希望对你的学习有所帮助。