对于MOSFET而言，米勒效应（MillerEffect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在MOSFET开关过程中，会使驱动信号形成平台电压，引起开关时间变长，进而导致开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。　　本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解，分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图：　　图一MOSFET的结构简图　　通过图一可知：N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝