阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统的性能具有决定性的影响。哪些因素将对MOS晶体管的阈值电压值产生影响呢? 阈值电压的数学表达式是： 式中±号对NMOS管取负号，而对PMOS管取正号。 式中 Qox 为栅氧化层中固定正电荷密度； Qss为栅氧化层中可动正电荷密度； Cox为单位面积栅氧化层电容，与栅氧化层厚度tOX成反比； QB为衬底掺杂杂质浓度（耗尽层中电荷 ），NMOS管采用P型硅为衬底，