低噪放，功率放大器的相关MMIC论文，十分用心的整理，对于设计MMIC十分有帮助，适合新手

0  引  言 　　随着微波通信技术的发展，人们对通信系统的要求越来越高，比如小型化、可靠性等，微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性，成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一，当前，PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。本文的功率放大器便是采用PHEMT工艺技术，设计要求工作频段在3～4 GHz左右，其工作带宽要求大于500 MHz，要求信号线性特性好

微波集成电路入门必读

提出了一种用于测量微波信号功率的新颖结构。 它测量通过MEMS膜从CPW线耦合的微波功率。 在这种方法中，信号在功率检测期间可用。 功率传感器的制造与GaAs MMICCraft.io兼容。 给出了该传感器的设计，制造和实验结果。 实验结果表明，该传感器在12 GHz以下的反射小于-15 dB，插入损耗小于2.0 dB。 这种功率传感器在10 GHz频率下的总灵敏度为10.4νVmW-1。 ？ 2007 IOP出版有限公司

1.设计目标 　　FEM发射通道的设计着重于功率回退下实现高效率，以提供线性放大，这是5G通信系统提出的要求。功率回退下的目标功率附加效率(PAE)定为6%，三阶交调(IMD3)低于-35dBc(功率回退值：从1dB压缩点开始大约退回7dB)。对应1dB压缩点(P1dB)的RF输出功率定为20dBm。而接收通道需要在非常低的电流消耗下(15mA，+4V电源)，实现低于4dB的噪声系数(包括开关损耗)。 　　射频前端MMIC的功能框图如图1所示。发送信号路径从图的上半部分中的左侧延伸到右侧;输入端口位于标有“PA_RFin”的引脚上。输入信号由三级功放(PA)放大，然后通过RF功率检测器和单

东南大学MMIC设计，MMIC是单片砷化镓芯片设计，砷化镓芯片多用于毫米波波段，裸片需要通过金线键合到传输线。

简要介绍了MMIC设计中的放大器的输入输出端的匹配网络设计原理和类型，适合新手阅读

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这是一篇利用ADS设计微波放大器的资料，是从事射频功率相关产品设计人员的学习资料

在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而来的是对工作于X频段(8GHz)的低功率(电池供电)LNA设计的探索。设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MMIC)中，GaAs PHEMT增强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管的使用。