台湾交通大学LDO博士论文，设计了各种特性的低压差线性稳压器

具有快速响应特性的LDO的设计

无片外电容LDO的设计[摘要] 传统的低压差线性稳压器LDO，需要在其输出端添加输出电容，以保证系统的稳定性。但这会存在两个主要的问题：一方面，输出端产生的极点位置并不是固定不变的，而是随着负载变化的，LDO的频率补偿很大程度上取决于负载。因此，对输出电容的数值及类型提出了严格的要求;另一方面，增加了成本及PCB板的面积。因

讲述了LDO的定义及工作原理相关重要应用指标（负载调整率，线性调整率，电压抖动，效率，输出噪声，电源抑制比等指标）及一般的常用结构

资料很好的，得来的很不容易，非常适合设计人员做IC设计时参考

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺，设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能，采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器，决定了电路的主要性能参数；第二级使用带有AB类输出的快速放大器，用来监控LDO输出电压的变化，以快速地响应此变化。电路仿真结果显示：在电源电压为5 V时，输出为1.8 V，输出电压的温度系数为10×10-6/℃；当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时，线性瞬态跳变为48 mV；当负载电流从0 mA到60 mA变化时，负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°，整个电路的静态电流为37 μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构，且能实现低功耗供电。

设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028 mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100 kHz处，PSR为-84.4 dB，输出噪声为8.3 nV/[Hz]，在1 MHz处，PSRR为-50.6 dB，输出噪声为6.9 nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。