LDO芯片设计论文资源大小：9.19MB[摘要] 近些年来，在众多的电源管理新片中，低压差线性稳压器（LDO）由于其面积小，噪声低，静态电路小，外围器件少等优点，得到了人们越来越多的重视。它现在已经被广泛的应用于很多便携式的电子设备中。目前市场上主流的电源芯片市场份额基本都被国外公司所占据，因此对LDO芯片研究有巨大的经济和学术意义。
2023-11-10 14:53:36
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42V转5V，42V转3.3V，42V转3V的DC-DC降压芯片和LDO芯片选型
42V转24V，42V转20V，42V转15V ，42V转12V，42V转9V，42V转5V，42V转3.3V，42V转3V，42V转1.8V，42V转1.2V.
2022-03-23 20:39:04
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本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用Cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃~ 125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动：≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA；电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整率：≤0.1%；负载调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负载瞬态响应：≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过温保护以及输入软启动电路。
2021-03-30 13:05:02
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