建立了InGaN / GaN发光二极管（LED）静态和动态行为的速率方程模型，并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合，获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量，对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明，光功率的上升时间随阱数的增加而增加，由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。
2022-06-27 15:46:49
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利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN_GaN多量子阱结构.pdf
2021-07-26 17:05:47
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MBE使用金属调制外延技术（MME）生长的高In含量的InGaN的生长和表征
2021-03-08 20:06:11
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