根据提供的文档信息,我们可以深入解析该产品的特性与技术细节,主要围绕标题、描述、标签以及部分内容中的关键信息展开。
### 标题与描述解析
标题:“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015”
描述:“MLC_3Dnm_V2_128Gb_H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)_Toggle_Rev,0.1,Jun,2015”
这两个部分都提到了“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015”,其中包含了多个重要的技术术语和规格参数:
1. **MLC (Multi-Level Cell)**:表示这款产品采用的是多电平单元存储技术。相比单电平单元(SLC),MLC能够在每个单元存储更多位的信息(通常是2位),从而提高存储密度但牺牲了一定的耐久性和读写速度。
2. **3Dnm**:这里的“3D”指的是三维堆叠技术,即通过在垂直方向上堆叠存储单元来增加存储密度。“nm”通常代表纳米技术节点,这里可能指的是采用的制造工艺技术节点,例如20nm或更先进的技术。
3. **V2**:版本标识,表明这是第二代产品。
4. **128Gb**:存储容量为128Gb,即16GB。
5. **H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)**:具体的产品型号编码,包含了大量的产品信息。
6. **Toggle**:指该产品采用了Toggle DDR接口技术,这是一种高速数据传输方式,适用于移动设备和其他高性能应用。
### 标签解析
标签:“H27QDG8T(D)2CD(W) MLC128Gb”
标签进一步强调了产品的型号编码和存储容量,其中“MLC128Gb”再次明确了这是一款基于MLC技术的128Gb(16GB)存储器。
### 部分内容解析
#### 版本历史
- **Rev 0.1/Jun. 2015**:这份文档的修订版本是0.1版,发布于2015年6月。它是在初步版本基础上增加了部分编号和一些额外信息。
#### 关键特性
1. **Multilevel Cell technology**:采用MLC技术。
2. **Part number**:提供了三个不同的型号编码及其对应的接口速度:
- H27QDG8T2CDA-BGC (533Mbps)
- H27QDG8D2CDA-BCC (200Mbps)
- H27QDG8T2CW1-BCC (200Mbps)
3. **NAND Interface**:采用Toggle DDR命令接口,8位总线宽度,指令、地址和数据信号端口复用。
4. **Supply Voltage**:核心电压范围为2.7V至3.6V,VccQ电压范围为1.7V至1.95V。
5. **Organization**:组织结构包括每页16,384字节加1,280字节冗余区域,每个块包含576个页面,每个设备有1,824个主块加56个扩展块。
6. **Page Read / Program Time**:随机读取时间为70微秒,页面编程时间为900微秒。
7. **Block Erase**:擦除时间典型值为10毫秒,最大值为20毫秒。
8. **DQ performance**:读取周期时间为3.75纳秒或10纳秒。
9. **Single Die Operating Current**:不同操作模式下的电流消耗,如读取时最大50毫安,编程时最大50毫安等。
10. **Package**:封装形式为晶圆。
#### 概述描述
该文档还提供了一个概述性描述,指出SK海力士的H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)适合用于高性能应用,如高端移动解决方案和PC数据存储解决方案。它具备Toggle DDR接口,并且支持双向DQS,提供高性能NAND闪存存储能力。
此文档详细介绍了SK海力士的一款基于MLC技术的128Gb NAND闪存产品的技术规格、性能参数及应用场景。通过这些信息,我们可以深入了解其设计特点和技术优势。
2025-05-26 04:07:02
347KB
1