IR2110驱动半桥电路图,详细的资料说明,驱动cmos,

目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型 电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论 以帮助用户选择适合应用的 MOSFET 驱动器。 电机和 MOSFET 驱动器之间的电桥通常由功率晶体管 组成，如双极型晶体管、MOSFET 或绝缘栅双极型晶体 管 （Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）。在一 些小型无刷直流电机或步进电机应用中，MOSFET驱动 器可用来直接驱动电机。不过，在本应用笔记中，我们 需要的电压和功率较 MOSFET 驱动器所能提供的要高 一些。 电机速度控制的目的是对电机速度、转向或电机转轴的 位置进行控制。这需要

直流电机H桥电路中四个二极管的作用 单项直流电桥工作时，任何时候都有两个二极管处于导通状态，另两个处于截止状态。反电动势只有在电机在制动状态下或电路在返乡供电条件下才会存在，不会在一边进行整流工作一边为反电动势工作。 H桥电路中mos管串联二极管的作用 因为MOSFET的体二极管速度太慢，有反向直通，所以采用一个二极管串联在外面，外面再整体并联一个。 而且高压瞬态完全不一样的，就现在大家做的逆变器，全桥，都是没有考虑这个直通的，因为这个直通的时间都是次ns级以内的。 MOS还是可以扛住的，然后遇到那种变态的高可靠性要求，全部都算FAIL，串联二极管没有特殊要求只需要电流够就行。 二极管的作用 一、整流 完成整流作用的二极管被很多人称为整流二极管，这同时也是它的分类之一，原理在于二极管具有单向导电性，所以可以将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电，达到这个整流的作用。 二、限幅 有限幅作用的二极管也被称为限幅二极管，主要是二极管两端加正向电压使其导通后，其正向压降基本保持不变，所以它在电路中可以作为限幅元件使用，将信号的幅度限定在一定范围。 三、开关

导读：近日， 本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题， 有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A 的直流电机驱动电路。 该电路驱动功率大， 抗干扰能力强， 具有广泛的应用前景。 　　该电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件， 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路，并对额定电压为24 伏， 额定电流为3.8A 的25D60-24A 直流电机进行闭环控制， 电路的抗干扰能力强，在工业控制领域具有较强的适用性。许多半导体公司推出了直流电机专用驱动芯片， 但这些芯片多数只适合小功率直流电机， 对于大功率直流电机的驱动， 其集成芯片价格昂贵。 　　在直流

H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。

基于IR2110的全桥驱动电路原理图原理图+PCB

一种用于IGBT模块的新型半桥驱动电路，驱动ic使用的是IR22141,性能可靠

电流电测电路的原理是基于霍尔传感器设计的，霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流 I 固定时，UH将完全取决于被测的磁场强度B。霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。 半桥驱动电路是，基于电机控制电路，本电路包含两个模块，输入PWM控制，HO为正向，LO为反向控制输出，分别驱动mofect

一、画电路图的基本思路 1、缩小画图范围 没有必要画出整机电路图，根据故障现象和可能采取的检查步骤，将故障范围确定在最小范围内，只对这一范围内的电路依据实物画图。 2、确定单元电路类型 根据印制电路板上元器件的特征确定电路类型，例如是电源电路中......

本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥，由低压逻辑信号控制，如图1所示。该电路为低电平逻辑信号和高功率电桥提供了一个方便的接口。H电桥的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供隔离。本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。 现代微处理器和微控制器一般为低功耗型，采用低电源电压工作。2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H电桥，必须精心选择接口和电平转换器件，特别是要求低抖动时。 ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。采用5 V直流电源时，有效的高电平输入逻辑电压可以低至2 V。因此，ADG787能够提供驱动半桥驱动器ADuM7234所需的2.5 V控制信号到5 V逻辑电平的转换。 ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI公司iCoupler:registered:技术，提供独立且隔离的高端和低端输出，因而可以专门在H电桥中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处:N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的1/3，最大电流更高；切换速度更快，功耗得以降低；上升时间与下降时间是对称的。 ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开，使得H电桥级的功耗最小。本电路中，H电桥的最大驱动电流可以高达85 A，它受最大容许的MOSFET电流限制。 ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器，集成脉宽调制(PWM)控制器，其输出经过适当的电平转换和调理后，可以用来驱动H电桥。