基于0.15 μm栅长GaAs E-PHEMT工艺，设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题，采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络，将二次谐波短接到地，有效地提高了功率附加效率；通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响，输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配，拓展了电路的宽带特性。测试结果表明，该放大器在9~15 GHz工作频率内，连续波饱和输出功率大于28 dBm，功率附加效率为35%～45%，功率回退至19 dBm下时，IMD3小于-34 dBc，该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。

Temperature dependence of electron-spin coherence in intrinsic bulk GaAs，赖天树，Xiaodong Liu，Temperature dependence of electron-spin coherence dynamics is investigated for an intrinsic bulk GaAs in the Voigt geometry using the elliptically polarized absorption quantum beat

采用 0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器，详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz，小信号增益约为8.5 dB，1 dB压缩点输出功率约为21 dBm，功率附加效率最高能达到20%以上。

矩形法matlab左点法代码使用MPB模拟简单的波导 该文档介绍了一个非常基本的示例，用于模拟波导并随后分析输出。 目的不是要全面介绍MPB，而是要演示如何将其用于各种应用，包括计算带结构，模式轮廓和组速度（包括和不包括材料色散）。 特别是，我们演示了如何将MPB用于运行大参数扫描以优化所需的某些参数。 mpb代码使用用户界面，可以直接从终端执行，也可以使用工作负载管理器（例如）执行。 仿真输出的分析是在Matlab中完成的，但如果需要，可以很容易地适应Python。 目录 固定索引模拟 在本节中，我们考虑在空气为背景的情况下，模拟钻石衬底上的简单矩形GaAs波导的能带图。 本示例以固定的索引值模拟单个设备实例，以生成带分散图并计算不同k点处的组速度。 我们还能够模拟电场分布图，计算模式重叠和绘图模式分布图/ 频段模拟 我们假设读者已经阅读了，但是无论如何我们都将逐步执行代码。 我们将遍历代码的各个部分，然后说明如何使用命令终端grep我们关心的输出，然后使用matlab清理并绘制结果。 我们需要做的第一件事是定义模拟窗口的标准单位。 假设麦克斯韦方程是尺度不变的，则使用MPB模拟时无

纳米线光电探测器具有响应速度快，光电转换效率高的优点，可广泛应用于各个行业。 但是，丰富的表面态会导致较大的暗电流，并会阻碍高性能纳米线光电探测器的发展。 本文研究了硫表面钝化对单个GaAs纳米线光电探测器暗电流的影响及其机理。 表面钝化后，暗电流显着降低了约30倍。 我们确认暗电流减少的根源是表面态密度的减少。 结果，实现了具有7.18××10-2 pA的低暗电流和9.04××1012 cmHz0.5W-1的高检测率的单个GaAs纳米线光电探测器。 已经提出了一种实现高性能基于GaAs的光电检测器的简单方便的方法。

提出了一种用于测量微波信号功率的新颖结构。 它测量通过MEMS膜从CPW线耦合的微波功率。 在这种方法中，信号在功率检测期间可用。 功率传感器的制造与GaAs MMICCraft.io兼容。 给出了该传感器的设计，制造和实验结果。 实验结果表明，该传感器在12 GHz以下的反射小于-15 dB，插入损耗小于2.0 dB。 这种功率传感器在10 GHz频率下的总灵敏度为10.4νVmW-1。 ？ 2007 IOP出版有限公司

该程序根据 MB Panish 提出的理论计算并绘制了 GaSb、GaAs、InAs 和 InSb 系统的相应 III-V 二元相图。 此信息对于使用液相外延系统生长外延层很有用。 有一个部分，用户可以选择生长温度，指示溶剂的重量，然后按下按钮，相应地给出第五组组分 (x) 的相应原子分数和溶质的重量. 该程序以 GUI 形式呈现。

独立式GaAs / AlGaAs单量子阱（SQW）微管的光学研究：与InGaAs / GaAs双层微管的比较

东南大学MMIC设计，MMIC是单片砷化镓芯片设计，砷化镓芯片多用于毫米波波段，裸片需要通过金线键合到传输线。

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